长鑫科技上市高光的背后，是中国科技10年的艰苦突围

长鑫科技7月27日正式登陆科创板，登顶A股市值榜首，全天成交额1411亿元，刷新A股个股单日成交历史纪录。这场空前的资本狂欢，不只是一家国产存储芯片企业的高光时刻，更是中国半导体产业10年逆势突围的写照。在长达10年的外部技术围堵之下，中国高科技产业从被动承压到主动觉醒，走出了一条全域攻坚、自主破局的逆袭之路。

10年前，2016年6月13日，长鑫科技成立。很多朋友可能不知道这个年份意味着什么。就在这一年3月，美国商务部决定将中兴通讯列入“实体清单”。此后10年，美国对华高科技围堵层层升级、步步紧逼。特朗普第一任期，辣手制裁中兴、极限打压华为，切断核心供应链，让国内科技产业直面“断粮”危机，也让我们意识到了自身的致命短板。

到了拜登政府时期，美国开始推行“小院高墙”策略，拉拢盟友组建排他性芯片联盟，从设备、技术、人才、出口全方位封锁中国高端科技产业。特朗普第二任期再度加码，除了禁止中国芯片制造商购买阿斯麦最尖端的极紫外(EUV)光刻机，甚至准备扩大DUV光刻机管制范围，连中国国内成熟制程芯片发展都受到直接威胁。

2016年长鑫科技成立时，几乎无人看好这场艰难的追赶，但一批批归国科技人才、一众坚守长期价值的国资、产业与私募资本，用10年时间，硬生生追上了海外企业数十年建立起来的技术领先优势。这场产业突围，没有轰轰烈烈的造势，只有长期埋头深耕。长鑫科技创业初期的核心技术团队，大多是有海外大厂经验的归国科研人员。

他们放弃海外成熟的科研体系和稳定优厚的薪资，回到国内从零搭建国产DRAM研发与工艺体系。那个时候谁都不知道自主研发这条路到底能不能走通，更是没有人能预料到长鑫上市的光辉时刻。彼时国内存储产业基础薄弱，无成熟工艺可借鉴、无配套产线支撑、无公开技术参考，同时叠加海外严密的专利壁垒与技术封锁，让每一次工艺迭代、每一轮良率爬坡，都需要从零攻坚、反复试错。

10年寒暑，这支团队穿越多次行业周期低谷，攻克数百项核心工艺难题，彻底终结了中国无法自主量产高端DRAM芯片的被动局面。而且长鑫在超高端HBM芯片方面也已经取得突破：HBM2已量产，HBM3处于送样验证与小批量试产阶段，相比三星、SK海力士，按产品路线时间表测算，只有约2—3年的代差。

不同于互联网赛道的快速迭代与流量变现，半导体领域的硬核创新没有捷径。所谓“十年磨一剑”的背后是一代产业理想主义者，在冷门且艰难的赛道上，以极致的坚守填补了国家产业短板。在技术突破的背后，我们更要看到中国耐心资本跨越周期的托举，这也是长鑫突围最容易被忽略的重要因素。

众所周知，半导体产业属于重资产、长周期、高风险产业，长期大额投入、阶段性亏损甚至失败破产都是行业常态。根据公开数据，截至2025年底，长鑫10年累计未弥补亏损达366.5亿元，长期处于高强度投入、持续烧钱的状态，前两年的行业下行期经营压力尤为严峻，但投资方始终未曾退场。合肥国资作为核心战略投资方，10年持续加码、坚守不退。

与此同时，国家大基金二期、浙江阿里巴巴云计算有限公司、兆易创新等产业资本、基石资本、华登高科等私募资本长期陪跑，构建起完整的耐心资本架构。这份跨越10年的长期主义，打破了资本市场“唯快钱是投”的行业惯性，成为中国高端制造业突围的核心支撑。

回望过去10年，中国科技产业的进阶之路，本质上就是一部被外部封锁逼出来的自主创新史。外部极限施压，彻底打碎了国内产业“以市场换技术”的幻想，倒逼全行业扎根自主可控。这种突围不仅体现在半导体硬件领域，在全球人工智能领域更是打破了由美国人定义的发展路径。长期以来，美国AI产业奉行“大力飞砖”的粗放路径，依靠顶级算力储备、巨额资本投入，以硬件优势堆叠构建技术壁垒，垄断全球AI发展话语权。

但国内诸多科研团队在顶尖算力卡被“断粮”的情况下，跳出对海外资源的既定路径依赖，依托算法优化、架构革新实现差异化突破。DeepSeek等国产大模型以更低的算力消耗和训练研发成本，实现了比肩国际顶级大模型的综合性能，直接戳破了美式“算力堆叠等于绝对技术优势”的行业神话，证明AI技术竞争不存在唯一标准答案，精细化的底层创新，完全可以对冲粗放式的资本算力碾压。

月之暗面前段时间公布的开源Kimi K3模型更是被华尔街视为DeepSeek冲击2.0版，模型一经发布，美国相关算力芯片个股应声下跌。不得不提的是，目前我国科技产业自立自强的根基，除了长鑫、DeepSeek这种明星公司，更在于一些看似细碎却至关重要的上游基础材料的突破。

因为半导体产业的突围，绝不只是终端芯片的设计与制造，材料、设备等这些基础环节，才是海外垄断数十年的核心壁垒。近年，国内企业在多个细分赛道逐一突破了日美企业的长期垄断。比如，此前长期被日本企业垄断的M9高速树脂，作为AI服务器、高端通信PCB的核心基材，目前东材科技已经实现了国产规模化量产；

南大光电ArF高端光刻胶稳定量产，14纳米制程产品通过头部晶圆厂全流程验证；彤程新材KrF光刻胶实现批量供货，占据稳定国内市场份额。电子特气领域，滨化集团6N级超高纯氟化氢、中船特气多款高纯电子气体实现量产，成功进入全球顶级晶圆厂供应链，彻底扭转高端电子化学品完全依赖进口的局面。

一系列细分领域的突围，层层筑牢了中国半导体产业的安全底座。10年来，美国持续升级出口管制，试图锁死中国国内半导体产业乃至整体科技产业向上跃升的步伐。但这场刻意的技术封锁，最终演变为“搬起石头砸自己的脚”的典型案例。

10年芯路跌宕，从基础材料、核心设备到终端芯片、AI底层算法，中国科技的每一次突破，都是绝境承压后的主动破局。贸易数据对比最为直观：2016年，中国集成电路出口额仅613.8亿美元，2025年全年集成电路出口额突破2000亿美元关口，达到2020.4亿美元，较2016年增长229%。

2026上半年集成电路出口金额高达1772.8 亿美元，半年出口规模距离2025全年数值仅一步之遥，这半年的体量已经相当于2016年全年出口规模的2.9倍。不同于部分西方国家大搞科技冷战、搭建排他性技术壁垒、以垄断割裂全球产业链，这10年来，中国科技始终坚持自主创新与开放共赢并行的底层逻辑。

长鑫存储以及即将上市的长江存储等企业补齐的是全球存储芯片供应短板，国产 DUV光刻机有望落地与半导体材料的升级丰富了全球产业供给，国产AI算法的能力提升开辟了人工智能低成本普惠的创新路径。

从坦桑尼亚实施卫星AI智慧农业项目运用数字技术保障粮食安全，到柬埔寨智慧渔业AI试点项目提升水产养殖产量、保护湿地生态，再到AI气象预警平台“妈祖”落地巴基斯坦、埃塞俄比亚、吉布提等国家，提升多国灾害预警能力。中国的这些科技突破从来不是为了对抗博弈、构建技术壁垒，而是为动荡的全球科技产业链，提供更稳定、更多元、更公平的发展选择。