三星电子：HBM5将用最先进2纳米工艺，速度提升50%以上三星电子晶圆代工副社长具滋钦27日表示，下一代HBM5的基片将采用GAA结构的2纳米工艺，运行速度预计比HBM4E提升约50%以上，同时提升功耗效率，并实现更高集成度的TSV。三星强调其设计、制造、封装一体化的交钥匙优势，可优化设计、缩短量产时间并降低成本。目前三星已量产2纳米第一代工艺，今年下半年将推出性能与良率提升的第二代工艺，并持续获得特斯拉及多家AI、HPC、CSP客户订单。