长鑫科技上市在即！

今夜“曝出”惊天大利好

下周存储芯片这下稳了……

消息上：

美国禁令切断长鑫存储HBM设备供应，迫使其转向定制化3D DRAM，利用DUV加多重曝光工艺研发。三星、SK海力士因依赖标准DRAM利润，对定制化持谨慎态度，短期不商业化。中国厂商已出样品对接客户，若长鑫路线成功，有望在新赛道领先韩国巨头。

对于此消息怎么看呢？谈谈个人看法：

现在两大国的AI算力之争基本已经白日化了，今天更是曝出美韩几大巨头，海力士，三星，英伟达以及高通的合作，更是推出9500亿美金计划。

从今晚这个消息来看，显示长鑫科技也正以差异化策略在破局美韩在高端存储芯片垄断，这必然值得我们肯定的。这对长鑫科技而言，就是挑战与机遇并存的战略转折。

现在美国禁令切断了其获取HBM制造设备的渠道，被迫放弃主流AI内存市场。

现在转向定制化3D DRAM，就有望绕过设备封锁开辟新赛道来打破“封锁”。

特别是目前已研制出样品并对接客户，下周一也是长鑫登陆科创板上市时间了，如果能够获得大额度融资，为后期研发提供资金支持，若这一技术成功跑通，有望在新赛道建立先发优势。

此消息利好三大方向：

1️⃣长鑫存储自身。

2️⃣半导体上游设备与材料。

长鑫科技的IPO募资295亿元中，220.66亿元用于设备购置。

3️⃣中游封测。3D DRAM依赖先进封装。

4️⃣下游模组与分销。