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AI时代,算力芯片GPU、存储芯片、传导光模块,都是水电基础工程!没有...

AI时代,算力芯片GPU、存储芯片、传导光模块,都是水电基础工程!没有这些水电基础,各种实际应用将无法落地展开!

“HBM之父”韩国科学技术院(KAIST)金正浩教授说“AI本质是内存,而非GPU”
他甚至直言“GPU真正工作的时间仅占10-30%,其余70-90%都在等待内存数据”。 在他看来,AI能力的竞争最终将由内存决定。
基于此,金正浩规划了一条清晰的技术演进路线:HBM(当下) -->HBF(10年内)-->HBS(远期)
(1)短期(HBM):当前主流主力,通过堆叠DRAM解决高速带宽,但容量有限,是“手边的参考书”。(2)中期(HBF):高带宽闪存,用堆叠NAND替代DRAM,容量提升约10倍,用于承载海量“长期记忆”,相当于“图书馆”。金正浩认为HBF将是下一个十年10倍增量,预计工程样品在2027年前后出现,2028年由谷歌、英伟达或AMD率先导入。2036年前后:HBF市场需求预计将超越HBM。(3)远期(HBS):他最新提出的“高带宽SRAM”概念,用比DRAM快1000倍的SRAM铺满12英寸晶圆并堆叠10层以上,实现超大容量和极速响应,作为近计算缓存。未来10-30年将会实现!(4)终极形态:未来AI芯片将演进为一栋“100层3D大楼”——HBM、HBF、HBS垂直堆叠,GPU位于顶层负责散热与冷却。
这一转变将深刻冲击产业格局。金正浩指出,AI主导权正从英伟达这样的GPU巨头转向三星、SK海力士等内存厂商,甚至预测英伟达未来可能收购一家内存公司以巩固地位。 他强调,从HBM4开始,内存将集成部分计算功能,进入“以内存为中心的计算”时代,而GPU则逐渐“被装进”HBM和HBF中,成为配角。