三星已完成特斯拉 2nm AI5 芯片流片

三星电子晶圆代工部门已完成特斯拉 AI5 芯片的代工端流片，意味着其已将特斯拉提供的设计适配至自家制造工艺，并可进入晶圆制造阶段。报道称，三星版本的 AI5 将采用 2 纳米级工艺，在美国得州泰勒晶圆厂量产。

此次流片与特斯拉此前公布的设计流片并不相同。今年 4 月，特斯拉 CEO 马斯克曾表示，AI5 设计已分别提交给三星和台积电进行代工。由于两家晶圆厂在将芯片设计转化为实体电路布局时采用不同方法，最终生产的 AI5 芯片将存在细微差异。

三星 AI5 采用定制化 2 纳米级 SF2T 工艺，原本被认为更可能用于后续的 AI6 芯片。三星工程师 James Kim 此前在 LinkedIn 上披露了相关进展，但该帖文随后已被删除。