国产半导体+测试+材料，这段时间跟踪很多，今天核心（CCKJ）公司修复得不错。
国产算力持续跟踪很多，周一讲的今天涨幅不错。
持续跟踪这些只是想告诉大家，持续跟踪非常重要，当您持续跟踪了，你自然就知道什么时候拐点。
今天视频继续跟踪国产算力：
2025年国产算力卡迎来产业拐点，与之配套的国产高端交换芯片也进入加速突破期。2026年成为国内51.2T高端交换芯片的元年，预计2027年将进入量产放量阶段。
PCIe芯片领域已有多家本土厂商通过头部云厂商验证;Scale-out方向25.6T产品已实现量产，可通过多颗拼接满足更高带宽场景需求。
高端Scale-up芯片领域，国内尚无成熟产品可对标海外51.2T以上规格，本土厂商的51.2T单芯片产品仍处于测试迭代阶段，预计今年8月完成优化升级。
订单层面，国产25.6T交换芯片已拿到头部云厂商明确订单，全年合计需求超6万颗;51.2T产品若如期落地，全年总需求有望达到2-3万颗.
国产算力可通过超节点架构弥补单卡性能差距，持续拉动国产交换芯片需求。伴随三季度起国内超节点项目逐步落地，交换网络国产化将迎来关键窗口期。
架构迭代:配比十倍跃升，用量空间彻底打开，传统Scale-Out分布式集群中，交换芯片与GPU的配比约为120。这类架构依靠胖树组网实现大范围连接，单颗芯片可承载海量GPU流量，功能仅局限于基础报文转发，整体用量偏低。
进入Scale-Up超节点时代，机柜内集群要求GPU两两全互联、超低延迟通信，组网逻辑彻底改变。当前交换芯片与GPU的配比已提升至1:3至1:2区间，未来若向1:1演进，整体用量将达到传统架构的20倍。
继续跟踪六氟化钨（5月11号跟踪的半导体设备和封装）市场调研(7日六氟化钨调研显示，5N-7N等级现货价比长协价高出35%-37%；日本断供后韩国市场依赖国内供应商，国内头部厂商处于满载状态，扩产需周期，预计价格持续上涨）。
价格与供应情况：
六氟化钨的现货价格（1.5N、6N、7N等级）比长协价格高出35-37%，表明现货市场供需紧张。
日本断供导致韩国市场转向依赖厚成、海力士以及国内的中船特气等供应商。
供应商产能与价格趋势：
上述三家供应商（厚成、海力士/ZCTQ）均处于满载状态，扩产需时间，预计未来价格将持续上涨。
三星的主要供应商为厚成和中船特气。三星在6N及以下等级会使用中船特气（等国内产品），因为价格比厚成便宜13-14%；7N及以上等级则使用厚成。
技术差距：
国内供应商实现7N等级稳定生产预计还需一年左右，技术上存在差距。
分享一篇康宁的纪要（光波导耦合方案）预期是28年以后量产，当然有可能也量产不了，但要去跟踪这个技术。
背景与痛点
传统耦合方案（FAU+透镜）：流程复杂，使用光纤阵列（FAU）搭配透镜阵列，操作复杂，且存在可维修性差、良率要求高、标准不统一等核心问题。
核心痛点：可维修性（故障需整板返修）、光学对准良率（亚微米级容差）、热膨胀导致耦合失效、生态标准化不统一。
康宁玻璃光波导方案核心原理
载体：一块玻璃。
结构：通过离子交换工艺，在玻璃内部制备一个一端宽、一端窄的渐变喇叭口光波导。
连接方式：
宽口端：匹配MT标准光纤插针接口，实现可插拔设计，光纤直接插入，无需复杂对位。
窄口端：依靠亚微米级光路通道，以压合方式和光芯片（PIC）的光口直接耦合。
核心优势：大幅简化耦合流程，实现可插拔，提升了现场可维修性。
对产业链的影响受到冲击的环节：
光纤阵列（FAU）：V型槽结构将不再需要（这就是TFTX下跌的一个原因之一）。
透镜阵列：使用量会明显缩减。
传统耦合设备：需求将大幅萎缩。
保偏光纤（部分链路）：光纤阵列淘汰后，相关需求会消失（这也是光纤下跌的原因之一）。
保留环节：外置光源设备仍需保留（利好CW）。
价值转移：传统耦合的技术难点和价值量，从“tftx等厂商的耦合环节”转移至“康宁等玻璃原片加工环节”。
行业长期影响：推动产业链走向自动化、半导体晶圆级加工，减少人工对位工序。
技术现状与风险
当前状态：仍处于研发概念阶段，仅在实验室完成样品验证，未大规模商用。
核心风险：
量产不确定：整套工艺稳定量产落地需要长期测试验证，不排除研发中途终止。
工艺挑战：玻璃端面抛光光滑度、光纤与波导对接工艺参数、光路损耗数值、亚微米级对位精度均存在不确定性。
标准不统一：光纤接口、芯片光口均无统一标准，导致玻璃波导结构需高度定制化，不利于规模化。
与CPO/NPO的关系：该技术更适配NPO（边缘耦合）或CPO（垂直耦合）均可，并非绝对。但核心解决了CPO最大的痛点——现场可维修性，从而间接提升了CPO的竞争力，分流了光纤阵列行业的预期收益。
边缘耦合vs. 垂直耦合
边缘耦合：插损更低（实验室数据），但性能高度依赖端面抛光与贴合精度。
垂直耦合：不占用芯片侧边平面空间，支持立体堆叠封装，能提升封装密度。