2026.07.07 周二晚间六大主线产业资讯汇总风险提示：资讯仅行情复盘参考，不构成投资建议一、算力1. 产业消息：英伟达SST高压供电架构定为AI数据中心标配，800V高压直流成为新建算力机房主流方案，大幅降低算力集群能耗损耗。2. 资金分化：今日算力板块严重割裂，光模块、ABF载板、普通存储芯片遭机构大额出逃；液冷电源、服务器PCB、先进封装算力配套逆势获资金流入。3. 外围利空：Meta传出闲置老旧算力对外出租，市场担忧海外云厂商削减光模块采购预算，压制算力中游估值。4. 公司互动：光弘科技盘后披露，已批量生产服务器算力板卡、散热组件，深度配套AI算力产业链。二、可控核聚变1. 顶层政策：十五五新型能源规划将可控核聚变列为未来能源第一攻坚赛道，《原子能法》正式落地，配套每年百亿级专项研发资金，三大聚变产业集群（合肥/上海/成都）集中启动设备招标。2. 技术突破：国内紧凑型聚变装置进入总装阶段，超导磁体设备完成满负荷工况验收，核心零部件全链条国产化闭环实现；规划2027年底完成装置调试，2030年实现净增益发电。3. 全球竞赛：德国发布仿星器商业化路线图，押注差异化聚变路线，全球多国加速工程化布局；一级市场6月聚变企业单月融资超20亿元，产业资本持续进场。4. 盘面属性：长线题材，短期无集中业绩兑现，资金以低位埋伏为主，波动偏小。三、半导体设备1. 涨价催化：ASML上调未来两年EUV、DUV设备出货指引，全球晶圆扩产拉动刻蚀、沉积、量检测设备需求持续高增。2. 国产替代主线：华为3D先进封装（韬定律）落地，带动键合、清洗、薄膜沉积设备订单回暖；今日硅片、封测设备逆势走强，存储、测试设备资金流出。3. 细分需求：六氟化钨扩产、12英寸硅片涨价双重利好，沉积设备长期需求刚性；多家设备厂商盘后透露三季度订单饱满。4. 资金特征：游资+机构共同抱团上游设备，是全天少数持续净流入科技细分。四、隔膜（锂电）1. 行业涨价：7月锂电排产达283GWh，环比+5.6%连续5个月上行；隔膜供需紧平衡，头部厂商开启二轮、三轮涨价洽谈，涂覆隔膜议价能力大幅提升。2. 政策催化：新版动力电池安全国标7月1日强制执行，淘汰低端无涂覆基膜，陶瓷复合隔膜成为行业硬性刚需，行业加速出清中小产能。3. 盘面标的：佛塑科技获温州帮大额买入涨停；恩捷股份、星源材质为板块核心权重。4. 中长期逻辑：储能、海外电动车旺季备货支撑隔膜下半年量价齐升。五、功率/碳化硅电源1. 晚间重大利空公告：露笑科技发布公告，终止12.17亿元6英寸碳化硅募投项目，剩余12亿募资永久补充流动资金；核心原因6英寸衬底产能严重过剩、价格持续下跌，行业全面向8/12英寸迭代。2. 长线利好：英伟达SST高压电源唯一适配材料为碳化硅，AI数据中心、高压快充、储能逆变器长期增量空间确定，8英寸车规、算力SiC标的不受6英寸产能过剩拖累，走出板块分化行情。3. 企业动态：扬杰科技7月起全系列功率产品涨价10%-15%，SiC在手订单饱满，同步扩建AI服务器高压功率产线。4. 资金表现：普通功率半导体今日集体流出，高压碳化硅电源细分分歧较小，资金高低切换明显。六、六氟化钨（半导体电子特气）1. 供给硬约束：日本关东电化、中央硝子7月1日永久关停全部高端六氟化钨产线，合计占全球外销高端产能25%；因国内高纯钨粉出口管制，日本无原料复产，缺口短期无法填补，扩产+晶圆认证周期长达18个月以上。2. 需求刚性：7nm以下先进逻辑芯片、3D NAND、HBM先进封装制造必不可少，制程越先进消耗量越高，AI算力扩张持续拉动需求。3. 盘面资金信号：板块高位鱼尾行情显现，前期涨幅巨大，机构分批止盈离场；昊华科技、中船特气盘后互动确认六氟化钨国内市占率领先，但短期抛压持续释放。4. 价格现状：7N级超高纯产品现货价格突破330万元/吨，全年维持紧缺涨价周期，但股价提前透支利好，资金转向高纯钨靶材低位细分。晚间整体市场逻辑总结1. 科技内部分化极致：上游硅片、半导体设备、先进封装持续吸金；存储、光模块、普通功率、六氟化钨高位兑现出逃。2. 新能源低位修复：隔膜受益排产回暖+新国标；碳化硅板块6英寸利空落地，资金聚焦8英寸算力电源标的。3. 长线题材催化：可控核聚变迎来政策密集落地窗口，适合中长期布局；算力短期受海外云厂商资本开支传闻压制。次日跟踪重点1. 露笑科技6英寸碳化硅利空是否扩散，8英寸SiC标的能否独立走强；2. 六氟化钨抛压是否延续，高纯钨材料低位承接力度；3. 隔膜涨价消息能否带动锂电材料支线回暖；4. 半导体设备、硅片主线资金持续性。