据透露，集成半导体公司英特尔正在内部考虑采用一种同时利用正面和背面供电的架构，以在1.4nm超精细工艺领域追赶竞争对手。

业内人士称，英特尔原本计划在其1.4nm基础工艺14A中应用专用于背向供电网络（BSPDN）的“PowerDirect”技术；然而，据报道，该公司正在考虑为后续的14A2工艺引入一种同时利用正面和背面供电的“双面”架构。

这一结构性变化与光刻工艺的局限性（自显影缺陷）直接相关，而这些局限性是由于英特尔追求的最小金属离子间距（M0）缩小到21nm水平而导致的。