韩国宣布迄今规模最大投资计划，将半导体、物理AI与数据中心定位为三大支柱，由三星与SK主导推进，两大集团合计承诺投资4850万亿韩元，其中三星2655万亿韩元（约11.7万亿元），SK约2200万亿韩元（约9.7万亿元）。简单谈谈看法：
这事标志着韩国正以国家意志和前所未有的资本密度，加码算力驱动下的存储周期。核心意图是通过集中资源垄断先进制程，在HBM、高容量企业级SSD上维持两代以上的技术代差，从而巩固高端存储市场的定价权和领先地位。或许这将成为巨型投资时代的开端。两大集团投资涵盖十余座大产能晶圆厂，总规模相当于目前全球DRAM装机产能两倍。其中约60-70%资金将转化为前端晶圆设备采购订单，20-30%用于洁净室等物理基础设施建设。这一开支路线表明，韩国本土半导体设备及零部件产业链会迎来一个确定性较高的多年上行周期。
此次韩国提出的3S+1F战略里将速度作为核心。海力士宣布原定2045年竣工的龙仁半导体集群建设时间表大幅提前12年，并规划在清州和西南地区同步新建大体量生产基地。同时，由于一季度通用型DRAM的利润率在产能缺口下已反超HBM近15个百分点，三星与海力士在这次扩产中也保留并加码了DRAM产线。
另外，巨额集群式资本开支，一方面是政企联手加码商业扩张，另一方面也带有强烈的宏观引导属性。韩国当下产业也面临K型分化，半导体出口暴涨而传统汽车等主力制造业持续低迷，因此迫切需要解决上游芯片原厂利润过度集中、而经济整体基本面失血的结构性失衡问题。可以说，超级投资项目是韩政企之间博弈与协调的成果。之前韩提出全民红利构想，引发市场对半导体巨头可能被征收暴利税来进行财富再分配的担忧，导致韩股一度出现剧烈波动。对于三星和海力士而言，将资金投向引导的本土重大项目，能够把留存收益转化为自己掌控的实物资产，相当于以投资替代税收。既能满足拉动地方经济和就业的社会需求，也能保护自己的资产负债表。
不过此次投资计划并非一次性爆发，而是平摊到数十年周期，年均支出远超存储行业历史投资强度。另外，计划的核心逻辑是对内释放平均红利，消耗企业现金，且会带来巨额设备折旧与研发费用，短期内可能压制利润率。从资金地理流向看，并没有集中在首尔周边的传统芯片带，而是大面积地域跨度，也反映出计划重点在包括芯片扩产的同时也考虑了基建工程。除新建晶圆厂房和设备采购外，相当比例的资金被消耗在配套电力设施、水资源网络等。尽管计划声称五年内实现DRAM产能翻倍，但受制于配套基建周期以及全球化链条重塑阻力，实际产能释放节奏可能远不及预期。