三维多层片上电容

6月12日电，据湖北江城实验室消息，该实验室近期在电容关键技术上取得重大突破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法。

火炬电子

量产硅电容，控股子公司天极科技6寸线量产、8寸线中试，3D沟槽硅电容方案适配2.5D/3D封装，用于AI/GPU芯片供电。

风华高科

国产MLCC龙头，布局3D-MIM三维硅电容，自主研发样品送算力大厂验证，技术路径与江城实验室高度契合。

鸿远电子

专攻航天军工高可靠MLCC，已推出三维多层硅电容系列产品，适配高端芯片与AI服务器。

宏达电子

硅电容产品进入可靠性验证阶段，军工+AI算力双赛道，适配先进封装场景。

精测电子

持有湖北星辰技术26.02%股权，湖北星辰为江城实验室旗下半导体先进封装中试平台，参与三维多层片上电容工艺流片与小批量试产。

长电科技

全球第三、国内第一封测龙头，布局嵌入式电容+先进封装一体化方案，XDFOI Chiplet/2.5D/3D工艺量产，承接片上电容落地订单。

华天科技

国内封测三强之一，2.5D/3D先进封装布局完善，可承接片上电容集成封装需求。

颀中科技

高端先进封测企业，凸块制造与覆晶封装技术领先，适配片上电容嵌入式封装应用。

国瓷材料

国内唯一能量产高端钛酸钡粉体企业，为MLCC与片上电容提供核心介质材料支撑。

三环集团

电子陶瓷全产业链，MLCC成品+粉体双修，掌握1000层以上堆叠工艺，为片上电容提供材料与工艺参考。

联瑞新材

生产球形硅微粉与球形氧化铝，是Chiplet封装用GMC/LMC关键填充材料，支撑片上电容封装应用。

以上内容不作任何投资建议仅供参考！