【“以钼代钨”火了！一图梳理相关概念】

事件核心：海力士 375 层 3D NAND “以钼代钨”

时间：2026 年 6 月 11 日催化，2026 年底量产。

技术：3D NAND 堆叠至 375 层，字线材料由钨改为钼，解决钨在超细 / 高层数下电阻率飙升、氟残留、填充困难等瓶颈。

意义：存储先进制程从 “钨互连” 转向 “钼互连”，AI 与高带宽存储需求驱动长期趋势。

成本可控：钼价约为钨的 1/4，远低于钌，唯一可大规模替代钨的难熔金属。

工艺更简单、良率更高：钨需 TiN 阻挡层（占接触电阻 70%+）；钼无需阻挡层，可直接 ALD 沉积，深孔填充更好、良率由 60% 升至 95%。

纳米尺度电阻更低：体电阻率相近，但线宽＜7nm 时，钼电子平均自由程更短，电阻率比钨低 30%–40%，功耗更低。

给大家梳理几个 国内相关概念的

金钼股份 (601958)：全球钼龙头，半导体高纯钼粉 / 靶材产能，

厦门钨业 (600549)：钼粉国内第一，6N 高纯钼靶

江丰电子 (300666)：全球靶材龙头，钼靶向 SK 海力士送样。

下图 可以保存后续用钼概念股票钨产业链钼行业科技板块会反弹吗