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3nm工艺,三代N3P,同频功耗低5~10%,同功耗峰值性能再涨 5%,晶体管密

3nm工艺,三代N3P,同频功耗低5~10%,同功耗峰值性能再涨 5%,晶体管密度加4%,高频散热更好。