国风新材对应技术路线的影响分析

一、先理清公司两类光刻胶业务

1. KrF光刻胶：已通过8英寸成熟晶圆产线验证，拿到小批量订单，适配14/28nm DUV前道制造制程；

2. PSPI光敏聚酰亚胺光刻胶：主打先进封装场景，用于RDL重布线、TSV通孔、3D堆叠绝缘图形化，目前处于送样+中试阶段，适配Chiplet/逻辑折叠封装工艺。

二、华为韬定律+逻辑折叠+3D堆叠带来的双重利好

1. 对KrF光刻胶：需求稳定放量

这套路线放弃EUV，大规模使用14/28nm成熟DUV工艺，单颗芯片光刻掩膜层数大幅增加，KrF胶整体消耗量显著提升；公司该产品已实现小批量供货，可直接受益成熟制程扩产红利。

2. 对PSPI封装光刻胶：核心弹性增长点

逻辑折叠、多层3D垂直堆叠，必须反复做RDL布线、硅通孔、混合键合，每一层堆叠都需要PSPI光刻胶做绝缘+图形光刻；堆叠层数越多，该类专用胶用量呈线性上涨，且海外垄断度高，国产替代空间极大。公司PSPI已进入长鑫、中芯、长电科技验证环节，一旦批量落地，会迎来业绩明显增量。