2026年4月2日，Roundhill Investments推出全球首只纯存储芯片ETF（交易代码DRAM），截至5月12日（成立不到6周），资产规模已飙升至73.3亿美元，创华尔街ETF发行史上最快吸金纪录，远超2024年贝莱德比特币ETF同期表现。该基金仅持有9家全球存储龙头，前三大重仓为SK海力士（27.3%）、美光科技（27.03%）、三星电子（20.13%），合计占比超74%。基金上市两天规模从25万美元增至5000万美元，10个交易日突破10亿美元，5月11日单日净流入10亿美元。市场热捧源于AI算力爆发驱动存储芯片“超级周期”预期，HBM（高带宽内存）需求激增，SK海力士今年累计涨约197%，三星、美光亦大幅上涨，投资者借道ETF集中押注韩国存储双雄与全球存储产业景气度上行。

Roundhill存储ETF的爆发式增长，本质是全球资本对AI时代存储芯片核心价值的集体重估。存储芯片从“周期品”转向“AI基础设施刚需”，HBM等高端产品供需失衡推动价格持续上涨，韩国双雄凭技术与产能优势成最大受益者。ETF的极致集中持仓，反映市场对存储超级周期的高度共识，同时放大板块波动风险。这一现象标志AI算力产业链投资从GPU向存储延伸，资金加速布局“算力+存储”双核心。但需警惕周期反转与估值泡沫风险，存储行业强周期性未根本改变，后续需关注产能释放节奏与AI需求持续性。