兆驰股份50G EML 光芯片尚未正式投产，仍处于研发稳步推进阶段，整体进展与投产规划如下：

一、量产硬件基础已搭建完成

公司已建成覆盖设计 - 外延 - 制造 - 测试全流程的 IDM 模式激光芯片生产线，为 EML 芯片后续投产预留了充足的硬件与产能空间：

核心设备配置：已到位 20 腔可兼容 LED 砷化镓芯片与激光芯片生产的 Aixtron G4 平台 MOCVD 设备，可灵活切换产能分配；同时配套 3 台电子束光刻机（EBL）等核心后段设备，具备激光芯片规模化量产的完整硬件能力。

产能预留空间：目前 4 台 MOCVD 设备用于光芯片研发，可根据研发进度逐步扩容至 6-8 台；4 台设备满载年产能可覆盖 2000-3000 万颗 CW 类激光芯片，可直接适配 EML 芯片的后续量产需求。

二、50G EML 光芯片研发与投产时间线

最新官方进展（2026 年 4 月 28 日年度业绩说明会）：50G EML 激光芯片研发工作按既定计划稳步推进，是公司 2026 年光通信业务的核心研发重点，整体目标为 2026 年底实现自研光芯片的规模化配套，大幅降低高速光模块的核心器件成本。

送样与验证投产规划：根据公司披露的产品进度表，50G EML 产品预计 2026 年第三季度（9 月左右）完成研发并正式推出送样；客户验证环节需完成 5000 小时老化测试，预计 2027 年第一季度完成全流程验证后，正式实现量产投产与出货。

三、配套光芯片的协同进展

同平台的 25G DFB 及以下速率光芯片已完成研发及试生产，进入小批量出货阶段，良率稳定在 85% 以上，为 EML 芯片的量产积累了成熟的产线运营与良率提升经验。

适配 400G/800G/1.6T 光模块的大功率 CW DFB 激光芯片已完成静态测试，预计 2026 年 6 月启动客户送样，将与 EML 芯片形成高速光芯片的产品矩阵协同，支撑公司高速光模块的垂直整合布局。