据韩媒报道，全球存储芯片厂商正集中产能投向 HBM 与高层数 3D NAND 闪存，传统 2D NAND 与 MLC NAND 供应快速收紧，市场已拉响供应断崖式下跌警报。三星已在 3 月起逐步关停华城园区 12 号产线的2D NAND 生产，MLC NAND 产品将于 6 月完成最后一批出货，之后彻底断供。铠侠 3 月也同步通知客户计划逐步淘汰 2D NAND 与第三代 BiCS 闪存，接单至今年 9 月底，2028 年底完成最终出货，2029 年全面退出相关市场，美光与 SK海力士等厂商也均无扩大 MLC 产能的计划。

TrendForce 数据显示，2026 年全球 MLC NAND 产能预计同比下滑 41.7%。受供应大幅收缩影响，64GB MLC NAND 现货价较 2025 年底暴涨超 300%，这类闪存每单元可存储 2 位数据，容量不及TLC、QLC，但数据保存与耐用性更突出，在部分领域短期内依旧难以被替代。然而，目前头部存储厂商均将资源倾斜至 AI 带动的高利润产品，三星也正重点推进 400 层级 V10 NAND 产品的研发与量产。