外媒：中国科学家在后摩尔时代芯片材料领域取得重大进展。面对AI和大型语言模型对高性能、低功耗芯片的迫切需求，2D半导体因其突破物理极限、持续缩小晶体管尺寸的潜力而备受关注。
国防科技大学等机构的研究团队开发出一种晶圆级2D半导体生长新方法，其生长速度较以往提升了1000倍，为工业化应用扫清了障碍。在半导体逻辑电路中，必须同时具备n型和p型材料才能成对工作，然而高性能且稳定的p型2D材料极度稀缺，已成为5纳米以下制程发展的关键瓶颈。
此次突破不仅有望解决这一技术难题，还将在光电子领域展现巨大应用前景，如用于制造更先进的LED、光电探测器及激光器。这项研究标志着中国在半导体前沿领域的竞争中占据了重要地位。
