我看这次mate80搭载的9030芯片,是DUV光刻机的N+3工艺(N是指14纳米),工艺制程约6纳米(5.6多些,约6),对外宣传是7纳米。实际等效于台积电的早期5纳米或三星的早期4纳米,这已经是极限压榨了DUV光刻机的性能。这虽然没有国产EUV光刻机生产振奋人心,但也很了不起了,大大拉近了与苹果高通三星顶级芯片的距离,也算是当前国产芯片的顶峰了!

我看这次mate80搭载的9030芯片,是DUV光刻机的N+3工艺(N是指14纳米),工艺制程约6纳米(5.6多些,约6),对外宣传是7纳米。实际等效于台积电的早期5纳米或三星的早期4纳米,这已经是极限压榨了DUV光刻机的性能。这虽然没有国产EUV光刻机生产振奋人心,但也很了不起了,大大拉近了与苹果高通三星顶级芯片的距离,也算是当前国产芯片的顶峰了!
