中国在闪存芯片领域取得重大突破，复旦大学周鹏-刘春森团队成功研发出全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片“长缨(CY-01)”，相关成果于2025年10月8日发表于《自然》期刊‌。该芯片采用原子级厚度的二维半导体材料与硅基CMOS工艺深度融合，攻克了新型二维信息器件工程化关键难题，良率超过94%‌。 技术突破与意义 架构创新‌：通过模块化集成方案实现二维材料与CMOS衬底的原子级贴合，突破传统存储器速度与功耗瓶颈，访问速度达400皮秒（此前最快非易失存储技术）‌。 应用前景‌：有望颠覆多级分层存储架构，为AI、大数据提供高速低能耗数据支撑，或成为AI时代标准存储方案‌。 产业价值‌：中国借此掌握下一代存储核心技术主动权，计划3-5年内实现兆量级集成，并推动产学研合作‌。 研发背景 团队曾于2025年4月提出“破晓(PoX)”二维闪存原型器件，此次成果进一步解决了二维材料与CMOS集成的工艺难题‌。该技术被视为中国集成电路领域的“源技术”，将加速全球存储产业向3D应用层面拓展‌。