俄罗斯芯片业：挣扎在制裁与自主之间 俄罗斯的芯片产业长期处于技术追赶状态，其制造工艺目前主要集中在 90 纳米及以上水平，本土晶圆厂如 Mikron 仅能提供 65-250 纳米制程能力，且良率不足 50%。2024 年推出的首台 350 纳米光刻机虽实现突破，但技术对标 ASML 二十年前的产品，主要满足军工、能源等特定领域需求。这种落后局面源于苏联解体后的技术断层，以及美国自 2014 年起的持续制裁 —— 不仅切断 EUV 光刻机等关键设备供应，还迫使台积电终止对贝加尔电子等企业的代工合作。 在军事领域，俄罗斯采取「技术替代」策略：S-400 防空系统使用模拟电路和电子管替代数字芯片，苏 - 35 战斗机通过雷达技术弥补芯片性能差距。但这种「土法创新」难以复制到民用领域。2023 年，俄罗斯仍进口近 20 亿美元芯片，其中包括超微、英特尔等美国品牌，暴露出对外部供应链的深度依赖。 面对制裁，俄罗斯启动 25.4 亿美元支持计划，试图在 2030 年前实现 70% 半导体设备国产化。科学院提出的 X 射线光刻技术路线（波长 11.2nm）虽避开 ASML 专利，但研发成本高昂且进度不明。更现实的路径是聚焦成熟制程 ——NM-Tech 投资 1180 亿卢布量产 130-250 纳米芯片，这类产品占据全球 60% 的工业需求。
