6纳米量产制程,3d封装达到3纳米晶体管数量。 2024年过去刚3月, 2024年 包括光刻机在内的全套工艺14纳米可以完全自主,可以多重曝光到11纳米量产,如果加用国外技术,多重曝光可以7纳米,光刻机出口到国外,用国外材料技术也行,但就不完全自主。 厂家虽然多,目前就中芯国际,华为合作伙伴(深圳新凯莱),长虹可以到14纳米。 产品 6纳米:紫光展瑞6纳米手机芯片,代工中芯国际 7纳米:华为手机芯片和GPU, 电动车芯片 12纳米:计算机处理器 芯片 16纳米:存储器等。 22纳米: 北斗定位芯片 华为比中芯差些,良品率低。 研制的多重曝光到5纳米,中芯5纳米,华为有5.5纳米才能有经济良品率,6纳米过关。 DUV多重曝光到7纳米,到5纳米,3纳米还是用ASML经济。国产DUV光刻机良品率只有ASML三分之一。 主要是3D封装技术达到接近3-5纳米的技术晶体管密度,但性能和功耗高。
6纳米量产制程,3d封装达到3纳米晶体管数量。 2024年过去刚3月,2024
糖果杠历史
2025-03-31 12:47:52
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