【SK海力士交付全球首批12层HBM4内存】今天，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能12层（12Hi）HBM4内存，并在全球率先向主要客户出样。据悉，SK海力士的12Hi HBM4内存采用了24Gb DRAM芯片，并使用先进的MR-MUF（先进批量回流-模制底部填充）键合工艺。该内存单封装容量达到36GB，带宽高达2TB/s，运行速度较上一代HBM3E提升了60%以上。SK海力士计划在2025年下半年完成量产准备，进一步巩固其在新一代AI存储器市场的领导地位。 近日还有报道称，SK海力士预计将独家供应英伟达Blackwell Ultra架构芯片第五代12层HBM3E，或将进一步拉大与三星电子、美光的差距。
