IGBT和Mosfet都是功率开关模块的重要套件，两者都具备了电平可变“开关”的能力（电压控制“开关”降低控制功耗），在控制功耗上均强于三极管
从耐压性来看，IGBT更具备性能+成本的双优势（如Infineon 1200V），其集电极之上加入的P+层（衬底注入）促进了性能的稳定性。当然，耐压也并非无限升压，结合电流带来的产热问题也不能忽略，否则长久以往功率模块会出现失效（设置压敏电阻或TVS二极管）
SiC出现后，Mosfet则再次成为了角逐IGBT的重要力量，原因在于SiC薄+耐高温的特性所决定，较IGBT而言击穿风险大大降低。像坦克500 Hi4-Z这种泛越野车的产品，面对重载工况，沿用SiC的电控还是值得肯定的，满足P4电驱动的稳定性，当然新能源跑车、性能车也都需要这种稳定
