消息称三星电子调整 1c nm DRAM 内存设计:牺牲外围密度以保障良率。
三星此前为 1c nm 内存设定了更为严格的线宽要求,目的是增加存储密度,提升单位晶圆的位元产出,进而建立相较竞争对手的成本优势。不过更低的线宽也意味着对工艺稳定性的要求更高,这对三星造成了良率方面的压力。
消息称三星电子调整 1c nm DRAM 内存设计:牺牲外围密度以保障良率。
三星此前为 1c nm 内存设定了更为严格的线宽要求,目的是增加存储密度,提升单位晶圆的位元产出,进而建立相较竞争对手的成本优势。不过更低的线宽也意味着对工艺稳定性的要求更高,这对三星造成了良率方面的压力。
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