中方在450公里太空干了件大事，令川普和卢比奥如坐针毡：这次麻烦太大了！
碳化硅材料是全球第三代芯片材料和功率器材的典型代表之一，其强大的禁带宽度、极高的击穿电场、比第二代芯片硅基材料相比更加高效的热导率等性能优势，特别是在高温、高压以及高频芯片领域表现优异，由于当前第二代普通硅基功率器件以及芯片材料的性能已逼近极限，可开发的潜力直线下降，而以碳化硅材料为代表的高端芯片材料成为全球芯片制造未来的制高点之一。
2月3日，据央视报道，东大微电子所在450公里外的的太空首次验证了新一代碳化硅功率器材，为东大未来使用第三代芯片材料对所有航天电源、雷达电源和电子战装备系统进行升级换代奠定了坚实的基础。
对于想在芯片开发领域给东大制造各类麻烦的川普和卢比奥来说，东大通过在新型材料领域的“弯道超车”，已经成功在多个关键芯片和功率器件领域实现技术突围，值得注意的是，碳化硅功率器材在武器装备，特别是核战争条件下的武器装备领域的作用之大，令其如坐针毡，可以说，随着在新一代芯片材料领域的快速迭代进步，美方之前所有的限制措施“全都打了水漂”。
值得注意的是，该材料可以再综合辐射效应极高的情况下，进行稳定电源输入，具备极强的抗辐射能力，意味着未来东大所有雷达、制导武器、航天器和新一代大型武器系统的功率器材都将具备在核战争条件下继续工作的能力，其战略意义由此可见一斑。
据悉，微电子所工程团队与空间应用中心共同研制了新一代碳化硅材料载荷系统，通过塔城天舟8号货运飞船将进行空间验证的某型高压抗辐射碳化硅功率器件送入太空，进行长时间空间验证，通过近50天的在轨加电验证和试验测试，该型碳化硅功率器件在太空强辐射条件下表现良好，静、动态参数均达到预期效果和指标，成为世界上首个在太空成功进行高压400V碳化硅功率器件在轨试验与应用验证的国家。
需要特别指出的是：
1、碳化硅材料具备极强的耐高温和高频特性，碳化硅衬底材料非常适合应用于新一代高性能雷达和通信系统的高功率电子元器件，采用碳化硅衬底材料为基础的新型雷达已成为碳化硅功率材料应用的重中之重。
2、碳化硅材料具有极强的抗辐射能力，在太空和强电磁下表现出极为稳定的性能，适用于航天电子设备、航天器空间电源系统以及强电磁环境下的电子战武器装备使用。
3、碳化硅材料的导热性好，非常适合用于大型高能千瓦级激光武器的散热系统。
4、碳化硅材料是下一代轻质高强度复合装甲的核心材料之一。
