在先进光刻系统中，曝光光源通常采用高强度气体放电或准分子激光形式，其驱动能量由高压脉冲电源提供。随着工艺节点进入亚百纳米时代，曝光能量的时域一致性和空间稳定性成为关键指标。纳秒脉冲电源凭借极高的响应速度与能量重复性，被广泛用于光刻光源驱动。如何进一步优化其性能，以满足极高精度光刻要求，是当前研究的重点。

纳秒脉冲电源的核心特性是脉宽短、上升沿陡、能量输出一致。为了保证输出波形稳定性，脉冲形成网络（PFN）的参数匹配尤为重要。通过精确控制电感、电容及阻尼分布，可使脉冲波形保持平顶形态，避免电压过冲与能量衰减。此外，采用多段储能结构，可在每个周期中实现能量分层释放，从而保持脉冲幅值一致性。

光刻工艺对能量重复性要求极高，通常需达到±0.1%以内。为此，电源控制系统必须具备高精度反馈与快速调节能力。采用双环稳能算法，其中外环控制储能电压，内环实时监测脉冲能量并校正偏差，可有效抑制长时间漂移。触发控制方面，引入光纤同步触发系统可将延时误差降至纳秒级，确保光源放电时序一致。

在高压放电环境中，寄生电感及电磁辐射会引起能量损耗与波形畸变。通过优化传输线结构、采用同轴屏蔽设计，可降低电磁反射与干扰，提高能量传输效率。同时，宽禁带功率器件（SiC或GaN）在纳秒脉冲电源中的应用，可显著缩短开关时间并减少损耗，使脉冲上升沿更陡峭、重复频率更高。

实验结果表明，经优化设计的纳秒脉冲电源可实现脉冲宽度小于30ns、重复频率达10kHz，输出能量稳定度优于±0.05%，满足高端光刻系统对能量均匀性与光源稳定性的苛刻要求。