AI算力需求与数据中心建设持续火热，推动存储价格和厂商盈利双双创下历史新高。据Counterpoint Research发布的《2026年第三季度全球存储市场追踪报告》，2026 第三季度DRAM营收同比大幅增长369%。

三星领跑，SK海力士环比增速更快

报告显示，三星以38%的市场份额位居DRAM市场第一。SK海力士营收环比增长超过40%，增速更快，挽回了年内早些时候丢失的部分份额。美光同样受益于AI数据中心存储需求，业绩表现强劲，但增速低于三星和SK海力士。

长鑫存储（CXMT）的份额有去年的 5% 增涨至 9%，但环比却降低了 1%。从第四季度起，竞争对手将开始出货溢价更高的HBM4，预计长鑫存储的份额仍将承压。

图：2026年第三季度DRAM营收市场份额

Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi表示："当前是价格超级周期，还不是出货量周期。本季度位元出货量仅增长约4%，但DRAM营收已接近2000亿美元，约为去年同期的5倍。AI让存储从大宗商品变成了稀缺的高价值资源，买家如今是在争抢供应，而不是在价格上讨价还价。随着价格继续上涨，供应商下一季度有望再创盈利纪录。"

价格上涨是三季度增长的主要驱动力。虽然涨幅较上半年的陡峭升势有所放缓，但DRAM平均售价（ASP）仍达到每Gb 1.9美元，推高了整体营收。

每一代HBM都在重塑竞争格局

Counterpoint Research研究总监MS Hwang指出："每一代新HBM都在重新洗牌行业格局。SK海力士在HBM3E时代占据主导，但目前增速放缓；三星的HBM4则深受客户好评。三星今年实现业绩扭转后，预计明年将登上HBM市场头把交椅。"

他同时表示："明年存储价格仍将保持强势。今年落后于常规DRAM的HBM价格，目前正在补涨。长期协议（LTA）为价格提供了支撑，而且由于大型新晶圆厂要到2028年才会投产，供应将持续偏紧。LTA条款可能导致各厂商短期业绩出现差异，但长期来看，大家都将沿着同一条上行趋势前进。"

产品结构：常规DRAM增长快于HBM

从产品结构看，尽管HBM营收几乎翻倍，但其占DRAM总营收的比重反而下降，原因是常规DRAM（DDR/LPDDR）增长更快。

Counterpoint副总监Brady Wang分析称："智能体（Agentic）AI的兴起，带动常规DRAM需求空前旺盛。根据我们的云端AI算力追踪数据，GPU与CPU的配比已从4:1大幅收窄至2:1，并正朝1:1的方向演进。以英伟达Vera Rubin机架为例，每颗CPU插槽配备的内存容量较上一代增长近两倍，达到1.5TB。"

他补充道："需求旺盛推动DDR和LPDDR的ASP创下新高，二者营收同比分别增长500%和近400%。服务器CPU出货和使用量显著上升，带动常规DRAM消耗增加，预计明年每Gb的ASP还将进一步走高，这将给边缘终端市场带来压力。"