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长鑫科技4F²垂直沟道DRAM完成工程样片验证
2026-10-31 19:32:11
未知来源
科技
本文来源:时代财经
10月31日,长鑫科技披露最新业绩交流会纪要,公司第六代工艺平台4F²垂直沟道DRAM架构已完成工程样片验证;对应首代DDR5 RDIMM产品预计2026年底送样,优先面向AI服务器等高附加值场景,后续视客户验证与市场需求推进规模量产。该架构旨在提升存储芯片单位面积密度,为下一代DRAM迭代打下技术基础。
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