据悉，三星电子正在推进设备投资，以开发8英a寸SiC/GaN工艺。迄今为止完成的投资仅在 1000 亿至 2000 亿韩元之间（折合人民币5.3亿-10.6亿元）。该行业正在寻找一个可以超越简单开发和批量生产原型的水平。
三星电子在今年年初成立了“功率半导体 TF”，进军 SiC/GaN 功率半导体市场。据了解，除了三星电子DS事业部内的主要事业部外，LED事业部和三星高等技术研究院也参与了TF。TF的具体目标就是开发8英寸SiC GaN工艺。
三星电子正在开发8英寸SiC功率半导体据韩国媒体THELEC报导，三星电子正在推进设备投资，以开发8英寸SiC/GaN工艺，目前已经投资了1000 亿至 2000 亿韩元（约合人民币5.3亿至10.6亿元）。
报道称，三星电子在今年年初成立了“功率半导体”任务小组（TF），进军 SiC/GaN 功率半导体市场。据了解，除了三星电子DS事业部内的主要事业部外，LED事业部和三星高等技术研究院也参与了“功率半导体”任务小组，具体目标就是开发8英寸SiC GaN工艺。
一位韩国的知情人士表示，“我了解到三星电子决定推动一项计划，将用于 SiC 和 GaN 开发的 LED 工艺中使用的部分 8 英寸设备混合使用，以提高开发效率。”
值得注意的是，与GaN已经普及8英寸晶圆不同，SiC目前仍以4英寸和6英寸晶圆为主，8英寸晶圆还没有达到商业化。最早2024-2025年，Wolfspeed、Twosix、SK Siltron等大厂正式定下8英寸SiC晶圆量产的目标。
因此，业界认为，考虑到进入实际SiC市场的时机，三星电子正在尝试从8英寸而不是6英寸开始开发工艺。在类似的背景下，DB HiTek 计划使用 6 英寸进行 SiC 工艺的初步开发，并从 8 英寸开始进行实际的功率半导体量产。
目前，三星电子正在投资 8 英寸工艺设施，用于 SiC/GaN 开发，迄今为止的投资额已经超过1000亿至2000亿韩元。据估计，该投资规模足以实现原型的量产，而不仅仅是简单的开发。
报道称，三星电子内部对下一代功率半导体业务抱有相当大的热情。一位业内人士暗示说：随着三星DS 部门总裁Kyung-hyeon直接负责，功率半导体业务正在蓄势待发。
全球8英寸晶圆布局脚步加快今年来，多个公司发布了投资8英寸晶圆的计划，我们简单汇总下：
2月17日，Microchip（微芯科技）宣布，他们计划投资8.8 亿美元（约60.4亿人民币）扩大其在SiC 和 Si 产能，并且是与 8 英寸晶圆制造技术相关。
2月2日，美国第三代半导体大厂制造大厂Wolfspeed于当地时间2 月1 日宣布，计划投资超过20亿元在德国萨尔建造一座8 吋碳化硅(SiC) 晶圆厂，这也将是Wolfspeed在欧洲的首座晶圆厂，同时也将成为该公司最先进的晶圆厂，以应对包括汽车、工业、能源等产业不断成长的需求。
Wolfspeed 表示，该晶圆厂将成为全球最大的 8 吋碳化硅晶圆厂，占地 35 英亩，将采用创新性制造技术来生产下一代碳化硅晶圆，预计最快 2023 年上半年动工。
3月初，三菱电机宣布计划建立一个新的晶圆工厂，以增加SiC功率半导体的产量。三菱电机将在截至2026年3月的五年内投资约20亿美元用于布局新产能，其中7.56亿美元（1000亿日元）将用于建设一个新的8英寸SiC晶圆厂并加强相关生产设施。
长远来看，8英寸SiC取代6英寸是必然趋势，但8英寸成为主流尺寸仍需时日，产能释放和质量提升都需要较长的周期。未来十年，6英寸SiC衬底仍将是主流尺寸，但8英寸会逐步渗透，两者在相当长的一段时期内将会并存。
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