在最近的 SPIE Advanced Lithography + Patterning Conference 上，来自 Intel 的 Mark Phillips 对 0.55 高数值孔径极紫外光刻技术的引进现状进行了有见地的更新。Mark 甚至断言高 NA EUV 的开发进展将支持 2025 年的生产部署。
Hyper NA光刻机，ASML的下一个目标ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年年度报告中写道：“NA高于0.7的Hyper-NA无疑是一个机会，从2030年左右开始，这种机会将变得更加明显。”“它可能与Logic最相关，并且需要比“高NA EUV”双图案化更实惠，但它也可能是DRAM的一个机会。对我们来说，关键是Hyper-NA正在推动我们的整体EUV能力平台，以改善成本和交货时间。”
到 2030 年，芯片制造商可能需要高数值孔径的双图案化，至少对于选定数量的层而言。与此同时，根据Imec去年提出的路线图，尺寸缩放预计将持续到至少 2036 年。这凸显了只要能够满足成本目标，新一代 EUV 扫描仪的潜在机会。
早在 2022 年，Van den Brink 就对超 NA 的经济可行性表示怀疑。他对 Bits&Chips表示：“如果超数值孔径的成本增长速度与高数值孔径的成本一样快，那么这在经济上几乎是不可行的。”他补充说，他的公司正在探索解决方案，以保持技术在成本方面的可控性。和可制造性。在 2022 年 ASML 投资者日上，Van den Brink 对他的工程师将取得成功表示乐观。“我始终相信技术，所以我相信我们会实现这一目标。”
2023 年 4 月，Van den Brink 对Hyper NA 业务案例的信心更加增强。“我曾多次前往世界各地与客户讨论超 NA 的需求和愿望。最近几个月，我获得了信心和洞察力，客户希望进一步降低分辨率，以便使用 hyper-NA 大规模生产逻辑和存储芯片的机会已经存在。”
即将推出07纳米光刻机EUV光刻机交付后，ASML传来新消息，0.7nm光刻机或将问世。ASML的光刻机受到了全球芯片巨头们的追捧，而三星李在镕则是专程去了一趟位于荷兰的 ASML公司，想要得到一台更加先进的光刻设备。
以台积电为例，购入了数量庞大的极紫外光刻机，其产能约为 ASML的二分之一，占到全世界 EUV光刻机产量的63%。
在 NA EUV光刻机上，英特尔不但拿到了 NA EUV光刻机，更是更进一步，到2024年，英特尔将拥有10台 EUV光刻机的产能，其中6台将被英特尔所占据。
从 ASML公布的信息来看，2 nm光刻机的生产与加工，目前三星台积电均已引进 NA型 EUV光刻机。在2022年， ASML公司 CEO在公开场合宣称，在光刻工艺上，在几十年的革新之后，High-NA EUV工艺或许将寿终正寝。
采用 NA- EUV光刻可以将制程缩短到2 nm/1.8 nm，等等。在今后的发展中， ASML在光刻工艺上会向环境友好、高效方向发展。
换言之，极紫外光刻技术的功耗和成本都是巨大的。AMSL将在 NA- EUV光刻基础上，对其进行进一步的完善，从而达到降低光刻功耗，降低制造成本的目的。
谁也没想到， ASML公司在历时一年后，终于在布林克公司的2023年度报告中，率先实现了Hyper-NA型 EUV，并有望在2030年实现。超过0.7的超脑网络系统毫无疑问代表着一个新的机会，并将成为2030年后的一个新的远景。超-NA是一种基于逻辑电路的、比High-NA型 EUV双模方法更便宜的技术，为 DRAM技术提供了新的发展空间。
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