5月21日消息，三星即将在今年上半年量产的第二代3nm制程目前良率仅有20%，也就是说，一片晶圆上，每10颗芯片就有8颗是有缺陷的。相比之下，台积电的N3B制程良率已接近55%。这也影响三星争夺英伟达芯片代工订单的努力。
三星HBM3良率仅为20%据外媒报道，三星电子将采用竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜（NCF）技术。
三位直接知情人士称，三星已经发出了处理 MR-MUF 技术的设备采购订单。“三星必须采取一些措施来提高其 HBM 良率…… 采用 MUF 技术对三星来说有点像是抛弃自尊心的决定，因为这相当于效仿了 SK 海力士的行为。”
有分析师表示，三星的 HBM3 芯片生产良率约为 10-20%，而 SK 海力士的 HBM3 生产良率约为 60-70%。随着 AI 行业的火热，业界对于 HBM3 和 HBM3E 需求越来越高，三星必须尽快做出改变。
消息人士称，三星还在与包括日本长濑集团在内的材料供应商洽谈采购 MUF 材料的事宜，但使用这一技术的高端芯片最早要到明年才能实现量产，因为三星还需要进行大量测试。IT之家注：长濑产业株式会社是拥有近 200 年历史的日本十大商社之一，是全世界最大的专业化工商社。
三位消息人士还表示，三星计划在其最新的 HBM 芯片中使用 NCF 和 MUF 技术。三星回应称，其内部开发的 NCF 技术是适用于 HBM 产品的“最佳解决方案”，并将用于其 HBM3E 芯片，后续“将按照计划推进 HBM3E 产品业务”，而英伟达和长濑拒绝置评。
积极争取英伟达3纳米芯片订单虽然良率与台积电如此差距，据媒体报道，三星今年还想抢下 GPU 大厂英伟达（NVIDIA） 订单的代工。尤其台积电面临地震及地缘政治等风险，三星迫切寻求机会，为英伟达打造第二代 3 纳米供应链。
三星晶圆代工部门制定“Nemo”计划，要赢得英伟达 3 纳米订单，成为 2024 年首要任务。市场人士透露，三星晶圆代工部门各单位都全力以赴，且通知英语流利员工，英伟达接单列为优先。
据了解，英伟达 2020 年将消费型 GPU 的 GeForce RTX 30 委托三星 8 纳米生产，且至今仍在生产。近期英伟达陆续推出先进制程 GPU 订单，多数都由台积电拿下。英伟达 AI 芯片H100和A100也都采台积电 4 和 7 纳米生产，使三星晶圆代工陷入发展瓶颈。
业界认为，三星2024年上半年量产第二代 3 纳米 GAA，关键就在赢得英伟达的订单，并缩小与台积电的差距。韩国市场分析师指出，今年因地震、地缘政治等不稳定的“台湾风险”显现，是缩小与台积电差距的最佳时机。美媒《Business Insider》也指出，全球 80%~90% 先进芯片是台湾生产，但台湾是地震多发地区，三星必须利用这机会，积极争取客户青睐。同时因为地缘政治的风险，三星也是全球存储器和代工供应链多元化的唯一选择。
但业界同时还认为，三星对英伟达 HBM 的供应，也对其争取英伟达的晶圆代工订单有帮助。
据了解，负责三星 HBM 业务的存储器业务部门副总裁兼 DRAM 开发主管，近期正在美国出差，目的就是为了与英伟达洽谈第五代产品 HBM3E 供货。
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