韩媒 ETNews 近日报道指，在优异能效等因素下，美光正迅速在 HBM 内存领域成为 SK 海力士和三星电子两大韩国存储企业的威胁。由于多重影响，美光传统上在 HBM 领域处于弱势。但美光在 2022 年大胆放弃了 HBM3 的量产，将精力集中在了 HBM3E 内存的研发和改进上。
Netlist同三大存储巨头均产生过专利纠纷Netlist是一家存储半导体模块公司，成立于2000年，在美国纳斯达克上市。LG 半导体前高管 Chun-ki Hong 领导该公司。2015年11月，公司获得三星电子总投资2300万美元，签订存储半导体相关交叉许可合同。
然而，三星电子与 Netlist 从 2020 年年中开始就合同发生严重摩擦，最终，Netlist 于次年向三星电子供应存储半导体的公司提起了专利侵权诉讼。由于客户受到诉讼的影响，三星电子也提起诉讼，确认Netlist的专利侵权无效并予以反击。
2023 年 4 月美国地方法院判决三星电子需就专利侵权向 Netlist 赔偿 3.03 亿美元，但该诉讼案涉及专利已陆续被宣判无效，三星电子不需要支付这笔赔偿金。
Netlist 本月 20 日表示，加利福尼亚州中区联邦地区法院的陪审团近日裁决认定三星电子严重违反双方 2015 年签订的联合开发和许可协议，撤销了三星电子的专利使用许可。
SK 海力士于 2021 年 4 月表示，其已在纠纷后同 Netlist 达成了新的专利交叉许可协议，SK 海力士需要支付约 4000 万美元的专利使用金。
美光，来势汹汹2022 年 11 月，美光科技宣布采用全球首个 10 纳米级 1β（beta）工艺完成 LPDDR5X 开发，在半导体行业掀起波澜。这一突破使美光领先行业巨头三星电子和 SK 海力士一代。快进到今年第一季度，美光的战略进步取得了回报，其 DRAM 市场份额达到 21.5%，是前三名中唯一一家份额增加的公司，从而缩小了与竞争对手的差距。
6 月 3 日，在台湾台北举行的亚洲最大 IT 展会“Computex 2024”上，NVIDIA 向国内外部分记者展示了其下一代 AI 超级芯片“GB200”的量产产品。GB200 结合了两个 Blackwell GPU 和一个基于 Arm 架构的 NVIDIA 设计的 CPU，预计将于今年年底发布，单价超过 7 万美元。尽管价格不菲，但 GB200 的需求量很大，很难买到。
发布会上，NVIDIA 为 GB200 的 GPU 加上了外壳，第五代高带宽内存（HBM3E）的供应商并未透露，不过据透露，GB200 芯片底层的 CPU 和内存半导体均由美光供应，此次合作彰显了美光在半导体市场的重大进展。
6月5日，在同一展会上，美光副总裁Pravin Vaidyanathan强调了公司的竞争优势，他表示：“美光HBM3E的功率效率比竞争对手高出30％。”这句话反映了美光对技术进步的信心，以及占领更大市场份额的积极策略。
据悉，美光采用1β工艺开发的LPDDR5X已搭载于苹果iPhone 15系列，展现了其商业可行性和性能。而三星则计划于今年下半年开始量产基于1β工艺的LPDDR5X，竞争将十分激烈。
美光的雄心壮志不止于此。该公司的目标是到 2025 年将市场份额提高到 25%，并计划今年在台湾台中投资一家新工厂。此外，美光还将获得美国政府 8.4 万亿韩元的补贴，用于建设更多工厂，进一步增强其生产能力。
半导体业界也注意到了美光的快速进步，业界专家崔正东表示，“美国实验室研究第一代、第三代工艺，日本实验室研究第二代、第四代工艺，过去五年来，他们的研发时间比竞争对手缩短了近一半。”这种“之”字形战略让美光在技术竞赛中始终保持领先。
然而竞争并非一帆风顺。一位业内人士指出，“虽然产量和良率仍存在很多问题，但单从性能来看，许多评估都表明美光是最先进的。”另一位业内人士也表示赞同，“像美光这样的后来者正在采取激进的、几乎像赌博一样的策略来竞争。”
三星电子也意识到了这种变化，最近成立了内部工作组，全面审查1b工艺之后从开发到生产的流程。据报道，三星DS部门新任负责人全永铉诊断出三星DRAM的领导地位正在动摇，并立即开始制定解决方案。一位业内人士评论说：“即使需要一些时间，三星也需要彻底检查其DRAM竞争力并再次拉开差距。”
随着半导体产业的不断发展，三星、SK海力士和美光之间的竞争预计将会更加激烈。随着美光的大胆战略和技术进步，DRAM和HBM市场的格局将在未来几年发生重大变化。
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