三星电子与SK海力士正展开激烈的竞争，竞相在人工智能时代掌控下一代半导体市场。两家公司都在通过开发新产品和把握大规模生产时机来争取市场优势。随着英特尔的加入，全球半导体竞争形势愈发激烈。
三星被曝将引入SK海力士的技术据外媒援引知情人士消息，为了在高端AI芯片竞赛中急追猛赶，三星存储芯片紧急踩刹车，准备使用SK海力士所领导的高端芯片封装工艺技术。
生成式AI对高带宽内存(HBM)芯片的需求激增，但当SK海力士、美光科技被曝拿下英伟达高额订单时，三星却意外在交易中缺席。
分析人士和业内观察人士认为，三星电子落后的原因之一是，它决定坚持使用会导致一些生产问题的非导电薄膜(NCF)芯片技术，而SK海力士转向高端封装工艺MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)方法来解决NCF的缺陷。
不过据三名直接知情人士透露，三星最近已经下单采购用于MUF技术的芯片制造设备。
挑战SK海力士HBM霸主地位三星正在开发的Mach-1是一款片上系统(SoC)形式的人工智能加速器，旨在减少图形处理单元(GPU)和HBM芯片之间的瓶颈。也就是说，希望Mach-1能通过多种算法，将内存和GPU芯片之间存在的问题能减少到目前的八分之一，将效能提高八倍。
Mach-1已经通过FPGA技术验证，目前正进行系统芯片(SoC)的物理定型阶段。三星电子设备解决方案部门主管Kye Hyun Kyung表示，芯片将在年底前准备就绪，明年初正式推出由Mach-1芯片驱动的人工智能系统。
当前HBM大热，SK海力士作为主要供应商占据市场半壁江山，三星或将企图通过AI芯片与SK海力士的HBM市场进行竞争。
HBM因AI应用而火，起初英伟达的HBM供应商主要是SK海力士，SK海力士在这一市场占据主要份额。现在随着AI芯片需求的大幅提升，三星与美光快速入局，并加大该市场的份额。
美光在HBM3这一代产品中并未入局，在今年3月，美光已经官宣HBM3e的量产，英伟达H200 Tensor Core GPU将采用美光8层堆叠的24GB容量HBM3e内存，并于今年第二季度开始出货。
在3月， SK海力士宣布，公司率先成功量产超高性能用于AI的存储器新产品HBM3E，将在3月末开始向客户供货。这是公司去年8月宣布开发完成HBM3E后，仅隔7个月取得的成果。
三星在2024年第一季度，其HBM3产品陆续通过AMD MI300系列验证，其中包含其8层与12层产品，加快了追赶SK海力士的步伐。在今年2月，三星表示已开发出 HBM3E 12H，这是一个 12 堆栈 HBM3E DRAM，也是迄今为止容量最高的 HBM 产品。三星表示，将于今年开始量产该芯片。
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