近日，全球光刻机大厂ASML首次在其荷兰总部向媒体公开展示了最新一代的High NA EUV光刻机，除了已经率先获得全球首台High NA EUV光刻机的英特尔之外，台积电和三星订购High NA EUV预计最快2026年陆续到位，届时High NA EUV将成为全球三大晶圆制造厂实现2nm以下先进制程大规模量产的必备“武器”。
ASML展示全球最先进光刻机据悉，一套High NA EUV光刻机的大小等同于一台双层巴士，重量更高达150吨，组装起来比卡车还大，需要被分装在250个单独的板条箱中进行运输。
装机时间预计需要250名工程人员、历时6个月才能安装完成。
根据爆料显示，High NA EUV的售价高达3.5亿欧元一台，约合人民币27亿元，它将成为全球三大晶圆制造厂实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。
2023年12月，Intel已率先拿下了全球首台High NA EUV光刻机，台积电和三星订购High NA EUV预计最快2026年到货。
由于High NA EUV光刻机价格是当前EUV光刻机的两倍，这也意味着设备成本将大幅增加。
而明年即将量产的2nm依然可以依赖于现有的EUV光刻机来完成，并且成本并不会大幅增加，这也是台积电、三星不急于导入High NA EUV光刻机的关键。
英特尔率先开始组装ASML新一代光刻机在最新一代EUV光刻机采购上，英特尔最为积极。此前英特尔CEO基辛格曾表示，该设备将会被应用于1.8nm以下的挑战。而根据规划，英特尔计划在2024年量产2nm制程，并在2025年量产1.8nm制程。
4月19日，芯片巨头英特尔宣布，已开始组装阿斯麦（ASML）的高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻机。这标志着英特尔在超越竞争对手方面迈出了重要一步。
这款光刻机是专为生产2nm以下芯片设计的。作为新一代EUV光刻机，ASML将数值孔径（NA）从0.33提高到0.55，这一改进对于实现更小尺寸的晶体管至关重要，从而支持2nm及以下工艺节点的芯片制造。
据悉，2023年12月，阿斯麦确认向英特尔交付首台高数值孔径极紫外光刻系统，这台机器的售价高达3.5亿欧元（约合27亿元人民币）。
实际上，英特尔虽曾参与开发极紫外光刻技术，但在开始使用阿斯麦首款极紫外光刻机上却晚于其竞争对手台积电。这使得英特尔在最先进芯片工艺产能上要落后于台积电、三星，甚至不得不将约30%的晶圆生产外包给了其他代工厂，其中包括其最大竞争对手之一台积电。
当前，英特尔也承认这是一个严重的失误。因此，在最新一代EUV光刻机采购上，英特尔最为积极。
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