2023年底，ASML向英特尔交付了首个高数值孔径（High-NA）极紫外线（EUV）光刻机。近日，英特尔发布了一段网络视频，展示了这台光刻机在俄勒冈州希尔斯伯勒附近晶圆厂的安装过程。
ASML Twinscan EXE:5000 High-NA EUV光刻机体积庞大，需250个栈板运送，总重量约33万磅。通过波音747货机从荷兰运至俄勒冈州波特兰，然后一辆卡车负责运送关键零部件。
设备虽已入机，但需要250名ASML和英特尔工程师花费约六个月进行全面安装。即便完全组装完成，仍需数周甚至数月进行机器校准。
ASML High-NA EUV光刻机具有8nm分辨率图形化，增强标准孔径EUV光刻性能，单次曝光分辨率仅限13nm。这使得晶体管尺寸减小约1.7倍，晶体管密度增加近三倍。在半导体领域，达到8纳米关键尺寸对于实现3纳米以下制程至关重要，而行业期望在2025~2026年实现这一目标。
英特尔将利用Twinscan EXE:5000学习如何充分利用High-NA EUV，以测试Intel 18A制程的高数值孔径光刻机，但不会进行量产，Intel 14A才将实现量产。
ASML先前表示新High-NA EUV光刻机价格是标准EUV光刻机的两倍以上，约3.8亿美元（3.5亿欧元）。英特尔首席执行官Pat Gelsinger表示，该机器的成本约为4亿美元左右。标准孔径EUV系统的售价约为1.83亿美元（1.7亿欧元）。
英特尔是首家购买High-NA EUV光刻机的制造商，但ASML透露，英特尔、三星、SK海力士和台积电等也都已下订High-NA EUV光刻机，预计将很快成为主流设备。
