其实，在2023年8月份以后，国内似乎开始淡化“缺芯少魂”的相关讨论了，之所以会出现这样的情况，归根到底是因为华为麒麟9000S芯片的发布让我们淡化了对于芯片自主化的焦虑，因为华为用事实证明，哪怕在美国的限制和封锁之下，我们依旧可以打造出纯国产的芯片产品。

这也就是说，美国对于华为的芯片封锁彻底失效了，但是，我们还是需要明白的一点是，目前华为并没有公布麒麟芯片的具体生产模式，这也就是说，除了华为之外，更多的企业还是需要沿着“传统”的芯片制造模式发展。

所以说，继续发展芯片产业链自主化依旧是一条需要继续坚持的道路，而在这条道路上，其实我们也已经走了很远了，众所周知半导体的制造分为设计和制造两个环节，而设计方面，国产EDA软件已经攻克，自主化的芯片指令集架构我们也有了，所以在设计环节上，我们已经算是破局了。

而制造又细分为七个环节，包括材料准备、晶圆生产、光刻、蚀刻、清洗和检验、接触金属化、封装和测试。

在这七个环节中，材料准备和晶圆生产其实我们已经实现了自主化，至于蚀刻，目前国产刻蚀机已经处于全球最顶尖水平，清洗、检验、封装、测试等环节我们也已经实现了自主化。

所以难点依旧在光刻上，而在光刻环节有两个重要的材料，其一就是众所周知的光刻机了，它就像相机，有了它才可以拍出照片，而目前我们也有自己的“相机”，只是精度方面还有些欠缺。

其二则是，半导体用光刻胶，也就是相机的“胶片”，这是相机成像的关键，之前我们一直依赖日本市场进口，但是，现在的情况却发生了改变。

就在刚刚，中国媒体发布重要消息表示，目前已经有六家中国企业联合宣布表示，实现了半导体用光刻胶的突破，其中，精度要求不太高的KrF光刻胶目前形程新材、徐州博康、晶瑞电材已经实现量产，鼎龙股份、上海新阳则处于验证量产阶段，至于可以应用于7nm以下的ArF光刻胶，目前形程新材、徐州博康、晶瑞电材、鼎龙股份、上海新阳、南大光电都处于验证量产阶段。

面对这个结果，估计拜登是猝不及防的，毕竟这意味着，我们只差最后一步就可以实现高阶芯片的全产业链制造了，这意味着该来的终于来了，我们通过自己的努力，真正的补齐了在半导体领域的短板。对此外媒也是给出评论表示，这也太快了，才四年时间。

而这最后一步也不会太久，当下上海微电子的光刻机技术也备受关注，按照目前的投入和支持力度来看，距离高精度光刻机的国产化不会太遥远，毕竟ASML公司实现高阶光刻机的制造也是从2007年以后逐步开始的，走向5nm也仅仅只是用了12年，而我们完全可以在更短的时间内追上来，原因有三点：

其一就是，和ASML公司当时的毫无准备，寻找新方向不同，我们在90nm光刻机阶段已经沉浸多年，所以技术起点比当年的ASML高很多。

其二，之前国产光刻机之所以发展较慢是因为，ASML、尼康、佳能等海外市场的大规模进入，国产光刻机没有技术优势，但是，伴随着ASML、尼康、佳能的出局，现在情况开始改变，内需将推动国产光刻机的正向发展。

其三则是，我们和西方技术发展相比最大的优势就在于，我们可以调动全部的资源来发展相关技术，例如盾构机、全球定位系统等都是成功案例，所以未来的高阶光刻机也会以极高的效率被打造出来，这一天不会太远。