本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

DRAM热要回来了。

用于生成式AI的高带宽内存(HBM)需求急增、供不应求，带动DRAM价格3个月来首度呈现上涨，弹升8%。

日媒报道，因HBM需求急增，带动在智慧手机、PC、数据中心服务器上用于暂时储存数据的DRAM价格弹升。2024年5月份指针性产品DDR4 8Gb批发价(大宗交易价格)为每个2.10美元左右、容量较小的4Gb产品价格为每个1.62美元左右，皆较前一个月份上涨约8%、皆为3个月来首度呈现上涨。截至2024年4月为止、DRAM价格连两个月呈现持平。DRAM批发价格为内存厂商和客户间每个月或每季敲定一次。

报道指出，HBM为堆栈多个DRAM芯片、可高速处理大容量数据的内存，大部分供应给生产生成式AI用GPU的英伟达(Nvidia)使用，而HBM需求强劲是带动5月份DRAM批发价弹升的主因。某家电子产品商社指出，HBM供给追不上需求、数量短缺。

另一家电子产品商社负责人表示，“为了增加HBM供应、缩减DRAM产量，也造成传统DRAM价格扬升” 。生产HBM所需的设施是生产传统DRAM的约3倍大，HBM产量增加的话，其它DRAM产量就会减少。

世界半导体贸易统计协会(WSTS)6月4日公布预测报告指出，因全球AI相关投资持续旺盛，带动内存、部分逻辑芯片需求急速扩大，因此将今年(2024年)全球半导体销售额预估值自前次(2023年11月28日)预估的5,883.64亿美元上修至6,112.31亿美元、将年增16.0%，超越2022年的5,740.84亿美元、创下历史新高纪录。

WSTS将2024年内存全球销售额自前次预估的1,297.68亿美元上修至1,631.53亿美元、将暴增76.8%。

据报道，美光正在位于爱德荷州波夕(Boise)总部扩充HBM相关研发设施，当中包括生产及验证线。另外，美光也考虑在马来西亚打造HBM产能，该公司在当地已设有芯片测试及组装厂。

美光规模最大的HBM生产基地位于台湾地区台中市，此处也在扩产中。美光已设定目标，准备在2025年底前将HBM市占拉高三倍以上至24~26%，跟该公司传统DRAM的市占相去不远(约23~25%)。

据博板堂透露，三星的SSD和内存产品刚刚结束了618的促销活动，接下来第三季度有可能会提高产品价格，预期分别为：

作为全球最大的芯片制造商之一，半导体业务一直是三星摇钱树。不过2023年全球存储芯片陷入了前所未有的低迷，让三星损失惨重，连续数个季度里一直在与库存及市场需求作斗争，甚至陷入了连续亏损。由于库存负担过重、需求低迷、价格下滑，最终三星不得不通过减产等手段，将管理重点放在了盈利能力上。经过长时间的挣扎后，三星的DRAM和NAND闪存业务进入2024年后终于看到了曙光，今年1月的月度财报里显示已实现了盈利。

虽然市场需求逐渐疲软，DRAM和NAND闪存市场在定价方面都面临重大挑战，加上存储器制造商开始停止减产，业界预计价格短期内不会提升，但是三星似乎依然坚定地继续提高内存和SSD产品的价格。

TrendForce集邦咨询观察，2024年大型云端CSPs，如Microsoft、Google、Meta、AWS等厂商，将仍为采购高阶主打训练用AI server的主力客群，以作为LLM及AI建模基础。待2024年CSPs逐步完成建置一定数量AI训练用server基础设施后，2025年将更积极从云端往边缘AI拓展，包含发展较为小型LLM模型，以及建置边缘AI server，促其企业客户在制造、金融、医疗、商务等各领域应用落地。

此外，因AI PC或NB在计算机设备基本架构组成与AI server较为相近，具有一定程度运算能力、可运行较小型LLM及GenAI等运用，有望成为CSPs连接云端AI基础设施及边缘AI小型训练或推理应用的最后一里路。

观察近期芯片厂在AI PC的布局，Intel的Lunar Lake及AMD的Strix Point都是在COMPUTEX展会首次发布的SoC，并都符合AI PC标准，故尽管Lunar Lake及Strix Point所配套的PC机种分别预计于今年第四季及今年第三季才上市，PC OEM会场工作人员仅以口头说明该两类机种的规格表现，但该两款SoC及所搭载的PC机种仍为活动中市场主要关注焦点。

在品牌端，ASUS及Acer继5月推出搭载Qualcomm Snapdragon X Elite的机种后，也在COMPUTEX展会期间推出搭载Lunar Lake、Strix Point的机种，MSI仅推出搭载Lunar Lake、Strix Point的机种；新款AI PC建议售价落于US$1,399-1,899区间。

2025年随着AI应用完善、能处理复杂任务、提供更好的用户体验并提高生产力，将带动消费者对于更智能、更高效的终端设备需求迅速增长，AI NB渗透率将快速成长至20.4%的水位，预期AI NB浪潮亦将带动DRAM Content增长。

NB DRAM平均搭载容量将自2023年的10.5GB年增12%至2024年的11.8GB。展望2025年，随AI NB渗透率自2024年的1%提升至2025年的20.4%，且AI NB皆搭载16GB以上DRAM，将至少带动整体平均搭载容量增长0.8GB，增幅至少为7%。

AI NB除了带动NB DRAM平均搭载容量提升外，还将带动省电、高频率存储器的需求。在这种情况下，相较于DDR，LPDDR更能凸显其优势，因而加速LPDDR替代DDR的趋势。对原本追求可扩展性的DDR、SO-DIMM方案而言，转换至同属模块的LPDDR、LPCAMM方案亦为LPDDR on board之外的选项之一。

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