三星否认其HBM内存芯片未通过英伟达测试

之前有报道称，三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达的测试，因存在发热和功耗问题而受到影响。

不过据韩媒 Business Korea 报道，三星电子发布声明否认了相关报道，该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行 HBM 芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作，以确保产品质量和可靠性”。

三星最近开始批量生产其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 产品。在目前已量产的 HBM3E 上，三星并未像竞争对手 SK 海力士、美光那样采用 1b nm 制程 DRAM 裸片，而是仍使用 1a nm 颗粒，在能耗方面处于劣势。加上本次出现的相关负面舆论，这导致一些分析师怀疑三星“是否有能力从 SK 海力士处迅速夺回市场份额”。