6月18日消息，日本化工大厂三井化学日前宣布，将开始量产EUV光罩保护膜（pellicles），可支持ASML将推出的下一代拥有超过600W光源功率的EUV光刻机。为此，三井化学计划在日本山口县岩国大竹工厂内设置生产线，计划年产能为5000张，生产线预计于2025年12月完工。

据了解，光罩保护膜是一种薄膜，可保护光罩表面免受空气中微分子或污染物的影响，这对于 5nm或以下节点制程的先进制程技术的良率表现至关重要。另外，光罩保护膜也是一种需要定期更换的消耗品，而由于 EUV光刻设备的光源波长较短，因此针对EUV的保护膜需要较薄的厚度来增加透光率。目前光罩保护膜主要供应商是荷兰ASML，日本三井化学、信越化学，韩国S&S Tech、FST等。

三井化学的光罩保护膜业务来自于2022年5月27日对于旭化成的半导体和LCD制造工艺中光掩膜薄膜业务的收购，收购价格约74亿日元（约人民币3.83亿元）。

值得注意的是，2023年12月，三井化学与比利时微电子研究中心（imec）共同宣布，为了推动针对EUV光刻的碳纳米管（CNT）光罩保护膜技术商业化，双方正式建立策略伙伴关系。

△imec展示的CNT薄膜

imec强调，双方的战略伙伴关系旨在共同开发曝光薄膜及EUV光罩保护膜，其中将由imec提供技术咨询与EUV光刻机测试，三井化学进行商用生产。这些光罩护膜被设计用来保护光罩在EUV曝光时免受污染，不仅具备很高的EUV穿透率（≧94%）和极低的EUV反射率，对曝光的影响也能控制到最小，这些都是要让先进半导体制造达到高良率和高产量所需的关键性能。这些碳纳米管（CNT）光罩保护膜甚至还能承受超过1kW等级的极紫外光（EUV）输出功率，有助于发展新一代（高于600W）的极紫外光源技术。将在量产导入EUV光刻技术的厂商对这些性能产生浓厚兴趣。因此，此次合作的双方将携手开发可供商用的碳纳米管（CNT）光罩保护膜技术，以满足市场需求。

imec进一步指出，在此光刻技术发展蓝图下，新型光罩保护膜预计于2025~2026年推出，届时ASML开发的新一代0.33数值孔径（NA）EUV光刻系统也将能支持输出功率超过600W的曝光源。

编辑：芯智讯-浪客剑