三星晶圆代工在美国晶圆代工论坛（SFF）上公布了其芯片制造工艺技术的最新路线图。在论坛期间，它概述了2纳米级节点、1.4纳米级节点以及将在未来三年内向客户提供的具有背面供电的生产技术的计划。

2025 年，三星将推出 SF2 节点（以前称为 SF3P），该节点展示了功率、性能和面积（PPA），公司将其归功于 2 纳米级工艺技术。这种制造工艺主要针对高性能计算和智能手机应用而设计，因此三星对其寄予厚望。此外，在 2025 年拥有 2nm 级节点也使三星正式领先于台积电，后者将在 2025 年底才开始采用 N2 工艺制造芯片。然而，这次重新命名再次凸显了“纳米”在今天已不再重要。

2026 年，三星计划推出 SF2P，这是 SF2 的性能增强版本（可以称之为 SF3P+？该节点将进一步完善SF2，其特点是速度更快但密度更低的晶体管，表明正在向提高速度转变，同时稍微降低密度，这是业界的正常权衡。

2027 年，三星将发布 SF2Z，该产品将采用背面供电技术，从而提高性能并增加晶体管密度。此外，这一改进还旨在提高电源质量和管理压降（IR drop），以应对先进芯片生产过程中的关键挑战。

三星晶圆代工的 SF1.4 节点也计划于 2027 年推出，标志着该公司进入了 1.4 纳米级别。与 SF2Z 不同的是，SF1.4 将不包括背面电源传输，这使三星有别于英特尔和台积电，后者将在其 2nm 级（20A）和 1.6nm 级（A16）节点上引入背面电源传输。目前还不清楚三星为何决定在其 SF1.4 中舍去背面供电技术，可能是想让这一生产节点更具成本效益。

目前，三星的路线图与有关 "纳米"分类的行业标准基本一致。不过，该公司尚未透露具体的性能优势以及与以前节点或英特尔代工厂和台积电等竞争对手的比较。

除了推出高端节点外，三星还发布了 SF4U，这是 4 纳米级节点的高性价比变体，通过光学收缩提高了功率、性能和面积（PPA）。SF4U 将于 2025 年量产。

总体而言，三星的公告凸显了该公司每年都在不断努力完善和改进半导体工艺技术。引入背面供电和各种性能增强等功能有望使三星代工在未来几年与竞争对手竞争。然而，公告中缺乏细节引发的问题多于答案。