导读：近日，ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年度报告中表示，正在研发的下一代NA值高于0.7的Hyper-NA光刻设备预计将从2030年左右开始获得应用。

图：Martin van den Brink

ASML指出，公司正在进行Hyper-NA技术的可行性研究，这些工具将在2030年之际开始获得采用，为未来的芯片生产技术提供动力。

ASML CTO指出，Hyper-NA设备最终是否导入的决定，将取决于ASML能够降低成本。然而，在ASML与客户讨论了该设备的必要性和可行性之后，客户使用Hyper-NA来大规模生产逻辑和存储芯片的技术条件已经存在，这预计将是下一个十年半导体产业的重要变化。

预计Hyper-NA设备可能与逻辑芯片最相关，并且将提供比High-NA设备更实惠的解决方案。而对ASML来说，关键是Hyper-NA正在推动整体EUV发展平台，以改善成本和交货时间。

图：ASML的初代EUV

ASML目前的EUV设备包括具有0.33 NA的光学元件，可实现13.5nm临界尺寸的EUV曝光，可通过单次曝光图案，产生26nm的最小金属间距、满足4-5nm逻辑节点制程的生产需求。

尽管如此，业界仍然需要3nm节点的21-24nm金属间距，这就是为什么台积电的N3B制程被设计为使用标准EUV双图案以实现尽可能最小的间距，但是这种方法将会相当昂贵。

具有0.55NA光学器件的下一代High-NA EUV设备将达到8nm的临界尺寸，这足以提供产生约16nm的最小金属间距，用于满足小于3nm乃至1nm节点的解决方案。

然而，未来金属间距将变得更小，甚至将小于1nm的情况下，晶圆制造商将需要比High-NA EUV微影曝光设备更复杂的工具，这就是为何需要开发出具有更高数值孔径投影光学元件的Hyper-NA EUV微影曝光设备的原因。

图：逻辑制程路线图（IMEC）

ASML最近透露，标准数值孔径EUV Twinscan NXE售价约为1.83亿美元，而High-NA EUV的Twinscan EXE的售价约在3.8亿美元以上。

这也就意味着，接下来的Hyper-NA设备的成本预计将会更高的情况下，ASML必须解决一个最重要的问题——逻辑芯片制造商在成本上能否负担得起。

当前，全球只剩下三个领先的逻辑晶芯片制造商：英特尔、三星和台积电。因此，虽然需要Hyper-NA设备，但它必须价格合理，否则客户可能选择其他技术路线或暂停升级制程。