三星铸造公司今天公布了其最新的半导体芯片工艺路线图。 在美国正在进行的SFF 2024博览会期间,这家韩国半导体芯片巨头公布了其2nm和3nm芯片的工艺路线图,并计划为AI和汽车芯片提供专门节点。

三星Foundry计划在2025年生产2nm芯片,在2027年生产1.4nm芯片

今天,三星在其位于加州圣何塞的设备解决方案美国总部举办了三星铸造论坛2024年度博览会。 在活动期间,它公布了其更新的工艺技术路线图,其中包括两个新的尖端节点:SF2Z和SF4U。

该公司透露,它将准备在2025年开始大规模生产用于移动设备的2nm芯片。 其第一代2nm工艺称为SF2,将于明年准备就绪,其2nm工艺的改进版本称为SF2P将于2026年准备就绪。

其2nm节点SF2X的专门版本专为人工智能(AI)和高性能计算(HPC和服务器)芯片而设计,将于2026年准备就绪。

该公司的第四代2nm工艺节点SF2Z采用先进的背面电源输送网络(BSPDN)技术,以获得更好的功率效率和温度。 它使用晶圆背面的动力轨道来消除电源线和信号线之间的瓶颈。 它将在2027年准备大规模生产

其汽车芯片2nm工艺的变体SF2A也将在2027年准备大规模生产。 该公司声称其Gate All Around(GAA)晶体管架构在性能和产量方面都在不断成熟。 GAA以其3nm工艺引入,也将应用于其2nm工艺。

三星在2022年下半年开始大规模生产3nm(SF3E)芯片,但它只能获得相对简单的加密货币挖矿芯片的合同。 其第二代3nm工艺被称为SF3,已准备好大规模生产。 虽然该公司没有透露有关使用这项技术的可能芯片的信息,但一些报道称,三星自己的Exynos W1000将成为第一个使用这项技术的芯片。

今年晚些时候,该公司还可能开始为Galaxy S25系列大规模生产下一代Exynos智能手机芯片组。 它还可以使用SF3工艺,并可能在明年年初推出。

SF4X是该公司的第四代4nm工艺节点,已准备好用于AI和HPC。 明年,该公司将准备好SF4A,这是其针对汽车芯片优化的4nm工艺节点的变体。 SF4U是其全新的4nm工艺节点,使用光学收缩器提供性能,功率和面积(PPA)改进。 它将在2025年准备好采用。

三星铸造厂总裁兼负责人Siyoung Choi博士表示:“在许多技术围绕人工智能不断发展的时候,其实施的关键在于高性能、低功耗半导体。除了我们经过验证的针对AI芯片优化的GAA工艺外,我们计划引入集成的共封装光学(CPO)技术,用于高速、低功耗数据处理,为我们的客户提供他们在这个变革时代蓬勃发展所需的一站式AI解决方案。”

三星还推出了其集成的三星AI解决方案平台,该平台通过提供三星的独特优势来帮助客户,即先进的包装,代工和内存。 其竞争对手台积电(TSMC)缺乏半导体存储芯片的专业知识

凭借其独特的优势,该公司计划提供高带宽,高性能和低功耗的解决方案,可以根据客户的AI要求进行定制。 凭借其交钥匙AI解决方案,该公司计划吸引AMD和Nvidia等客户。

三星Foundry还试图通过满足物联网(IoT),医疗和可穿戴领域的半导体芯片需求来实现客户组合的多样化。 它正在与包括ARM和Groq在内的几个芯片设计和测试合作伙伴合作,以创建一个进展更快的半导体生态系统。