近两年，半导体行业受到下行周期市场复苏不及预期、资金紧张等多方面影响，英特尔、台积电、三星等多家大厂在继续维持扩产大势下，不断调整放缓晶圆厂建设速度和节奏，以更好服务于企业长期发展目标。据全球半导体观察不完全统计，今年上半年以来，英特尔德国1nm芯片厂和美国俄亥俄州建厂两座工厂延迟建设，三星韩国平泽芯片厂和美国泰勒晶圆厂延期，台积电美国亚利桑那州两座工厂推迟投产。另外，Wolfspeed德国8英寸SiC晶圆厂或推迟到2025年开建。 英特尔德国1nm芯片厂和美国俄亥俄州建厂延迟建设 据外媒消息，英特尔位于德国马格德堡附近Fab 29.1和Fab 29.2的建设被推迟，因为欧盟补贴审批待定以及需要移除黑土并重新利用。开工时间由2024年夏天推迟至2025年5月。 此前消息显示，该芯片厂建设计划最初开始于2023年上半年，但由于补贴延迟，建设被推迟到2024年夏天。为此，德国财政部长迈克尔·里希特（Michael Richter）极力推动，确保英特尔获得所需的资金。2023年，联邦政府批准了价值99亿欧元的国家援助作为英特尔300亿欧元的项目补贴，但这还有待欧盟确认。 另外，施工现场的表土最早要到2025年5月才能清除，据悉英特尔未来的建筑工地含有优质黑土，必须按照法律规定小心清除并重新利用。州政府将负责清除表层40厘米的土壤，而英特尔则负责清除超过此深度的额外土壤。 据悉，英特尔的Fab 29.1和Fab 29.2原计划于2027年底开始运营，或将采用非常先进的制造工艺，可能为Intel 14A（1.4nm）和Intel 10A（1nm）工艺节点。但英特尔现在估计“建造这两家工厂需要四到五年时间”，“因此将于2029年至2030年开始生产”。 此前英特尔官方消息显示，英特尔节点命名约定中的“A”后缀代表埃，10埃转换为1纳米。英特尔尚未透露有关 10A/1nm 节点的任何细节，但告诉我们，它将新节点归类为至少具有两位数的功耗/性能改进。英特尔首席执行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 告诉我们，新节点的改进幅度大约为 14% 到 15%，因此我们可以预期 10A 节点将至少比 14A 节点有同样程度的改进。 另外，今年2月外媒消息，由于市场需求低迷和美国补贴发放延迟，英特尔推迟了美国俄亥俄州200亿美元规模的芯片项目。 2022年1月，英特尔宣布计划初始投资超过200亿美元，在俄亥俄州利金县建设两家新的尖端晶圆厂。该计划从2025年开始芯片制造。受到多方因素影响，据据参与该项目的人士称，俄亥俄州一号项目的Fab1和Fab2两座工厂目前推出至2026~2027年完工，约2027~2028年正式投运。 三星韩国平泽芯片厂和美国泰勒晶圆厂延期 今年2月消息，三星透露，三星已部分停止其位于京畿道平泽市的第五家半导体工厂的建设。 据悉，平泽园区是三星电子的半导体基地，涵盖内存和系统半导体、芯片设计、生产和后处理。三星电子原计划在平泽园区85.5万平方米的场地上建设六家半导体工厂，打造全球最大的半导体中心。目前，平泽园区的P1、P2和P3工厂拥有最先进的 DRAM、NAND 闪存和代工生产线，而P4和P5工厂的建设正在进行中。 三星电子当时表示，停工是为了进一步检查。但行业人士透露，三星调整P4、P5晶圆厂新生产线是为了优先建造P4厂PH2产线。据悉，P4厂或将兴建PH3产线，生产高端DRAM等以满足市场需求。 另外，据外媒消息报道，三星位于美国得克萨斯州的工厂也延期了。据悉，三星电子已将位于美国德克萨斯州泰勒市的晶圆的量产时间从2024年底推迟到了2026年，原因可能是考虑到晶圆代工市场增势放缓而调整了建设速度。延迟是由于与美国政府补贴和各种许可复杂性相关的问题造成的。经济复苏的不确定性似乎也影响了三星电子在该地区的投资决策。 据悉，三星泰勒晶圆厂项目始于2022年上半年，原计划于2024年下半年量产，主要聚焦4nm芯片。在2023年12月末，三星电子代工（芯片代工）业务总裁崔时永在美国IEDM 2023上表示，泰勒工厂将于2024年下半年开始首次代工服务，并于2025年开始量产，这表明投资计划已调整。并且，今年1月外媒最新消息显示，三星电子原定于2023年末在泰勒晶圆厂安装设备，现在该安装计划已推迟到2024年上半年，这或将量产时间再次后延。 台积电美国亚利桑那州两座工厂推迟投产 4月9日，台积电在官网宣布计划在亚利桑那州建设第三座晶圆厂，建成之后采用2nm或更先进的制程工艺为客户代工晶圆，在亚利桑那州凤凰城的全部资本支出，也将因此超过650亿美元。 与此同时，业界还关注到，台积电公布的在亚利桑那州的第一座和第二座晶圆厂投产时间较最初的计划有推迟。 在官网上，台积电披露，他们在亚利桑那州的首座晶圆厂正推进到2025年上半年投产，采用4nm制程工艺为相关的客户代工晶圆；第二座除了此前宣布的3nm制程工艺，也将增加更先进的2nm制程工艺，将在2028年开始批量生产。 此前2020年5月15日宣布在亚利桑那州建设晶圆厂时，台积电计划在2021年开始建设，目标量产时间是2024年。2022年12月6日，台积电宣布工厂的制程工艺由此前计划的5nm升级到4nm时，他们仍表示计划在2024年量产。 亚利桑那州第二座晶圆厂则是在2020年12月份宣布，原定计划于2026年量产，主要采用3nm制程工艺为客户代工晶圆。最新披露的2028年较原计划就推迟了近两年。 而对于计划在亚利桑那州建设的第三座晶圆厂，台积电尚未披露动工的时间，但他们提到将采用2nm或更先进的制程工艺，计划在本世纪30年代末开始投产。 Wolfspeed德国8英寸SiC晶圆厂或推迟到2025年开建 今年延迟动工的还有Wolfspeed与采埃孚联合投资建设的德国8英寸SiC晶圆厂。 2023年2月，Wolfspeed公司与采埃孚集团宣布建立战略合作伙伴关系。双方计划建立联合创新实验室，推动碳化硅系统和设备技术在出行、工业和能源应用领域的进步。该战略合作伙伴关系还包括采埃孚一项重大投资，支持在德国恩斯多夫建设世界上最大和最先进的200毫米碳化硅晶圆工厂。 据悉，计划位于萨尔州恩斯多夫的8英寸SiC晶圆厂由Wolfspee主导建设，预计耗资约27.5亿欧元（约合人民币215亿），目前已获得德国联邦政府3.6亿欧元（约合人民币28亿）及萨尔州政府1.55亿欧元（约合人民币12亿）的补贴。Wolfspeed还在申请《欧洲芯片法案》的资金援助。采埃孚将给Wolfspeed提供数亿美元的财务投资，以换取该工厂的少数股份。 消息人士透露，Wolfspeed希望在奠基仪式前获得更多资金，如果无法从该法案中获得援助，该项目极有可能会延迟。该工厂原计划于2024年夏季开始建设，但据Wolfspeed首席执行官Gregg Lowe透露，如今可能要到2025年才会启动建设。