Q：HBM3e 目前情况如何？

A：在4.5 月的时候有出现一个问题，在TCB bonding 这一道工序，生产的配方有问题，大概有10 天的产能受到影响。因未能按约定出货，预计罚款加货的成本需赔偿6-7 亿美金。M 公司目前HBM3e 的主要客户是英伟达，供给H200 这款产品。

Q：有传闻说英伟达H200 取消了一些客户订单，是因为HBM3e 供货出了问题，问题是出现M 公司这边吗？

A：是的，海力士的良率已经80%多，目前M 公司可能不到60%。

Q：生产问题跟地震有关系吗？

A：无关，只是制程上工程师出了一点问题，工程师需要去用一个新的配方，去cover Shinkawa（TCB 工艺）原本的问题，但这个新配方有问题，因此有10 天的产能都用了错的配方，所以那些货都不能出给客户，之前出给客户的有被客

诉，所以HBM3e 的良率一直没有很好。

Q：之前M 公司生产也有一点问题，但是当时说换成Brewer 的胶之后，良率就提升上去了。

A：对的，可是换了胶之后，之前pillar 受损的问题又回来了。

Q：您认为这个问题会反应在这一季的财报上吗？

A：根据之前的经验，今年年初在西安的封测厂，其实也有一个赔了6-7 亿美金的事件，一样也是修改配方出现错误，生产出来的产品流到客户端全部不能用。但这件事并没有反映到财报上。只能说根据之前的经验是这样，不确定这次会不会反应到财报上。

Q：HBM3e 现在有正式出货吗？

A：有。因为SUSS 机台交机的日程有delay，所以它的产能现在是预计到年底是18-20K wpm，明年40k wpm。

Q：之前SUSS 调研显示，M 公司今年下了12-13 台订单，今年Q3 就会入场。A：对。现在机台进来需要装机，接水电，然后验机。现在其实才验到第3 或者第4 台，所以就是delay。然后机台状况也没有很稳，即便是本来有在生产的机台。

Q：状况不稳是什么意思？

A：在生产过程中，比如说一台机台需要保养，原本可能可以生产200 片再做保养，但由于机台状况不稳，可能生产100 片就要去做保养，所以产能利用率（UTR）自然下降。

Q：所以是process 上出现了问题？

A：是的，材料也要是有问题，因为材料品质没有很稳定。

Q：是Temporary Bonder 的材料还是MUF 的材料？

A：Temporary Bonder。

Q：那会换成TOK 东京应化的吗？

A：因为基本上现在HBM3e 已经交给量产部门，所以现在再要更换材料是很难的，只能从既有的材料和生产的配方是改善，但其实改善效果不大。

Q：为什么海力士一直很稳定，没出现过什么问题？

A：因为海力士从HBM2 开始就有量产经验，所以这些问题已经克服。

Q：现在一个cube 或者每Gb 的价格如何？

A：定价不太清楚，只清楚目前的产能。正常来说，HBM 一个晶片的大小是两倍的DDR5 的面积。但是M 公司由于良率较差，一个HBM 晶片的面积会是三倍DDR5 的大小。目前台中引进了第五代10nm DRAM 技术给HBM 用。原本是在日本做，因为日本算是研发厂，现在已经在做第六代，以代号来说就是1γ，现在量产的是1β。如果是说第几代的话，β是10nm 的第五代，γ是10nm 的第六代。因为HBM 由于后道的良率不好需要很多wafer，所以台中这边做DRAM 的F16 已经在计划转向第五代的技术，供HBM 使用。

Q：这些对M 公司的影响是什么？

A：供生产HBM 用的wafer 的量变多，产能明年会提高。因为M 公司做DRAM的主要地方是桃园跟台中。之前是在日本广岛做，先进封装就只有台中一个。

Q：HBM4/4e/12-Hi 的产品进度如何？

A：HBM3e 的12-Hi，5 月底已经投入量产，虽然目前量产还是以8-Hi 为主。某种程度来讲，12-Hi 的良率会好于8-Hi，因为12-Hi 要叠比较多层，需要的TSV路径应该就比较短，原本8-Hi 的TSV 路径较长，在前面DRAM 的制程要挖这么长的TSV，可能会存在铜填充不满的问题，会有一些特殊的缺陷。这是由于M公司自身的技术问题导致。但以12-Hi 的TSV 的size 来说，这个问题就自然消失不见，因为它比较短。

Q：明年英伟达的B200 Ultra 是12-Hi 的产品吗？

A：应该是，不确定。目前12-Hi 西安M 公司已经投入量产，拿去做验证，验证的时长按照正常流程来看预计9 月或者年底通过。

Q：所以目前HBM3e 用的1β没有用EUV；HBM4 用的是1γ，用了EUV？

A：对，目前HBM4 日本正在做工程流片的用的都是1γ。

Q：桃园做1α，台中做1β，桃园做1γ，所以HBM4 是在桃园做吗？

A：理论上应该是这样。

Q：HBM4/4e/4k 还没有时间线吗？

A：还在研发中。4 本身是8 层；e 和k 一个12 层，一个16 层，16 层一定要用新的hybrid bond 的技术，以目前来看，技术方面有遇到瓶颈。

Q：听说海力士4e 还是用TC 不用hybrid bond。

A：因为hybrid bond 真的蛮难。海力士在HBM4 的时候会采用fan-out 的封装方式，就是在cowos 的时候再加上fan-out。

Q：HBM3e 良率可以达到60%吗？

A：没有。应该可以达到55%，因为为了防止客诉，现在制程中间每一个环节都要检测。

Q：DRAM 价格环比增长可以达到17%吗？

A：预计10-15%左右。

Q：DRAM units（Gb 数）环比增长有2%吗？是否会受到地震的影响？

A：地震没有影响，是谣言。DRAM 目前产能抓得很紧，内部有算FY3Q DDR5 价格大概上涨10-15%。

Q：DDR5 目前产能利用率如何？

A：前段没有那么清楚，大概在80%左右。

Q：bit 个数会增长很多吗？或者说第二季的出货量会比第一季的出货量大吗？A：bit 个数不太会算。出货量预估会大。

Q：NAND 在FY3Q 的价格情况如何？

A：NAND 在FY3Q 预计上涨8%左右，在5-10%之间。还有市场上有些人说NAND 可以去做DRAM 的产品，是谣言，它们的机台差很多。

Q：NAND 涨价幅度低于预期的原因是为什么？口径下调的原因是什么？

A：这是最新的预估结果，不清楚具体原因，根据内部目前工厂情况来看就是这样，然后预计FY3Q/4Q 价格增长会放缓。

Q：还有什么工厂里的情况需要注意？

A：最近的火灾不影响生产，因此不会影响到利润；地震也没有造成什么影响；然后就是先进封装这边的赔偿6-7 亿美金的事件；工厂Bonder 交机delay；有几个高管因内部管理问题下台。

Q：英伟达如何反馈？

A：客户不清楚，英伟达对接的是BU 的单位。

Q：是否了解台积电的涨价情况？

A：目前听到的也是英伟达接受台积电的涨价，苹果不接受。

Q：三星进展如何？

A：三星现在一直没有过验证，是由于过热问题，因为三星使用的材料还是有问题。但三星一直过不了验证跟台积电无关，只是技术问题。因为要通过验证需要拿去台积电做cowos 的工作，市场上有人谣传说台积电担心三星做大，故意不让三星通过验证，但是这是谣言。

Q：所以验证的决定权是台积电而不是英伟达吗？

A：是英伟达会设下一个标准，这个标准在台积电执行。

Q：是否了解台积电的最新情况？

A：台积电目前hybrid bonding 也是正在研发中还没有量产。Hybrid bonding 目前还没有公司有一条真正的量产线，虽然以前有两款产品，但那是很久以前了。三星用的hybrid bonding 的机台是三星旗下子公司SEMES 的；海力士是Hamni、ASMPT、Hanhua、BESI、TEL 还在评估中，因为hybrid bonding 有两种，一种是chip on wafer，die 直接hybrid bonding 到wafer 上面，另一种是wafer to wafer，两片wafer 直接绑起来；台积电是用BESI、EVG，还有SUSS，但SUSS 太慢了。

Q：Hybrid bonding 的throughput？

A：hybrid bonding 其实也有分层，看需要bond 几层。目前，大家进度基本就是两片叠在一起。关于chip on wafer 的throughput，假设一个wafer 上有570 个good die，然后一个die 上面bond 一个wafer，目前一个小时可以弄4000 个左右。

Q：最后再确认下M 公司HBM 产能的问题。

A：今年预计可以达到18k wpm，die per wafer 570，良率大概60-70%，相当于good cells per wafer 370，high of stacking 算9，后道的良率约50%。今年年底预计18-20k wpm，明年年底会翻倍到40k wpm。目前的5-6 月大概有4.5k wpm，7-8 月需要看机台情况。

Q：明年的良率可以提升到80%吗？A：不可能。

Q：chip 有机台或者材料的问题吗？

A：就是Shinkawa 这一台机台的问题，这一台die stacking 是最关键的步骤，但是这一台一直叠不好。之前说HBM4 采用Hamni，现在是想要HBM3e 就引进Hamni，但应该是来不及。总结wafer label 的问题，就是材料影响良率，SUSS机台delay 影响产能。Chip 方面是由于Shinkawa 机器的问题以及生产配方的问题。

Q：stacking 问题是精准度的问题吗？

A：是精准度的问题。认为是硬体方面的问题，可这次损失跟硬体无关。

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