韩国科技巨头三星（Samsung）昨天在加利福尼亚州举行的三星晶圆代工论坛（Samsung Foundry Forum）上宣布了一系列新的芯片制造技术和其他针对不断增长的技术的举措。与台积电和英特尔一起，三星是世界上第三家能够使用最新制造技术制造先进半导体的公司。在论坛上，它介绍了其 2 纳米和 4 纳米工艺的先进变体，并强调了称为全方位栅极 （GAA） 的先进晶体管设计对芯片行业未来的重要性。

三星最新活动的核心是该公司的两种新的半导体制造工艺。这些是三星 SF2Z 和三星 SF4U 工艺。其中，SF2Z是前沿节点，是三星2纳米工艺的第三次迭代，称为三星SF2。凭借SF2Z，该公司正在加入其他芯片制造商的行列，例如英特尔和台积电，以优化其芯片的供电。

三星和其他公司一样，将使其芯片能够通过晶圆的“背面”接收电力。该区域具有较低的电阻，根据三星的说法，背面供电网络 （BSPDN） 可提高芯片的功率、性能和面积 （PPA），并确保其具有稳定的电压，这对于高性能计算应用至关重要。

BSPDN在业内并不是一个新概念，早在一年前的4月份，关于该技术的一些首批传言就浮出水面。台湾供应链消息人士称，三星更大的竞争对手台积电将使用 BSPDN 来其 2 纳米工艺的高级变体，称为 N2P.然而，台积电今年早些时候证实，虽然N2P不会采用BSPDN，但其下一代芯片制造工艺A16将采用BSPDN。

三星的第二项新工艺技术SF4U采用了早期设计的缩小变体。芯片制造商将其称为“光学收缩”，它涉及通过照相测量来减少芯片的面积。

三星还分享了其下一代芯片制造工艺SF1.4的细节。SF1.4有望在2027年量产，据芯片制造商称，它还将达到良率和性能目标。该公司补充说，它将在今年下半年开始大规模生产其第二代3纳米工艺技术。

为了应对人工智能对半导体行业的预期影响，三星还宣布了一项名为三星人工智能解决方案的现成芯片制造服务。该公司表示，三星人工智能解决方案将合并该公司的代工、内存和封装部门，以提供一个“交钥匙”平台，使客户能够缩短开发时间并设计定制芯片。