新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计，大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性，为系统设计提供更大的余量。

新洁能Gen.7 IGBT系列产品为匹配不同应用需求，开发了不同参数特点的产品系列，今天要介绍的“V”系列产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用。

以650V 40A(NCE40ED65VT)规格为例，该产品是一款650V、TO-247封装、100℃下额定电流40A的产品。与常见的相近规格产品进行实测对比，详细数据如下：

从测试数据来看，NCE40ED65VT的正向导通压降和二极管续流压降都具有优势，无论是在正向导通还是续流时都具备更小的器件损耗，并且具备与同规格竞品相近的开关损耗。关断过程中NCE40ED65VT 尖峰电压VCEpeak较低，为实际应用提供更充分的有效电压余量。

新洁能Gen.7 IGBT系列产品不但可以通过JEDEC标准中的常规可靠性项目，也可以通过HV-H3TRB 等更高要求的可靠性项目，满足实际应用中同时具备高温、高湿、高压的严苛应用要求。

新洁能Gen.7 IGBT “V”系列650V产品目前已量产40A~200A等多个电流规格产品，由于Gen.7 IGBT芯片具备更高的电流密度，可以完成相同体积内更大电流的产品以及相同电流更小的封装体积。例如，650V 50A产品可以封装进 TO-263封装，650V 200A的TO-247Plus封装。同时大电流产品开发了具有开尔文引脚的4L封装。

新洁能650V Gen.7 IGBT V系列产品列表 (*代表封装位)

新洁能Gen.7 IGBT 分立器件命名规则