看了这张图，我终于明白为什么全球只有少数几家公司能做好DRAM。

很多人以为，DRAM和NAND都是存储芯片，难度应该差不多。其实，它们面对的根本不是同一个维度的挑战。

DRAM拼的是“物理极限”。它要在几纳米的微观世界里，让电容稳定存住电子。随着工艺逼近10nm，电容越来越小、漏电越来越严重，每一次工艺升级，都在逼近存储的物理极限。

NAND拼的是“工程极限”。它的难点在于“盖高楼”。怎么在平面放不下的情况下，垂直向上堆叠到200层甚至300层以上，考验的是超深刻蚀和多层对准等制造能力。

所以，DRAM拼的是物理学，NAND拼的是工程学。谁能攻克DRAM，谁就更有机会掌握AI时代最核心的存储技术。也正因为如此，DRAM一直被认为是存储芯片领域真正的“皇冠上的明珠”。

你觉得，未来国产DRAM能否跻身全球第一梯队？欢迎聊聊你的看法。