SK海力士加强美国HBM生产

SK海力士，“在印第安纳州的封装工厂量产HBM4E…目标2029年第3季度”郭尚镇社长在27日的奠基仪式上明确表示…“加强美国国内尖端AI内存的供应链”

SK海力士启动了美国尖端半导体封装工厂的奠基仪式。该工厂计划从2029年第3季度开始量产第7代高带宽内存（HBM4E）。预计将具备每年数十万片的生产能力。

SK海力士的郭尚镇社长于27日（当地时间），在印第安纳州普渡大学举行的用于人工智能（AI）内存的尖端封装生产基地奠基仪式上明确表示了这一点。

在此之前，SK海力士宣布投资约40亿美元（约合5.52万亿韩元），在印第安纳州西拉法叶地区建设尖端封装工厂。该工厂不仅限于生产设施，还将附设尖端封装技术研发（R&D）中心。印第安纳工厂将成为SK海力士在美国国内的第一座半导体工厂。

该地点目前正在进行场地基础工程。计划于10月启动主要设施的建设。以2028年10月洁净室完工为目标。

郭社长表示，“计划从2029年第3季度开始在该工厂量产HBM4E”，并明确表示“预计将具备每年数十万片晶圆的生产能力”。随后，他表示，“到2030年，印第安纳将成为美国核心的HBM生产基地”，并称“将应对美国AI内存半导体的需求扩大”。

SK海力士计划将韩国生产的尖端HBM晶圆运至印第安纳州的封装工厂，进行后工序后，向美国客户企业交付产品。

郭社长强调，“将启动完全整合的韩美生产系统”，并表示“SK海力士将加强美国的半导体供应链，为国家·经济安全保障做出贡献，同时为客户企业提供美国产HBM的新供应来源”。