三星、SK海力士加大中国NAND投资…资本支出将持续至明年

韩国存储芯片制造商正在加大对中国NAND闪存生产基地的投资。三星电子已详细规划将在今年和明年将其当地生产线转换为最先进的NAND技术，而SK海力士预计也将在今年下半年至明年之间确保每月约3万片晶圆的生产能力。

据业内人士24日消息，三星电子和SK海力士计划通过明年积极推进对中国NAND量产线的设备投资。

三星电子自今年上半年开始投资，将中国西安X2线转换为V9 NAND。三星的V9 NAND是一种前沿产品，拥有约280层堆叠单元，公司预计将确保每月4万至5万片晶圆的生产能力。

据称，三星最近已敲定一项补充投资计划，旨在加强该晶圆厂的V9 NAND生产。该计划主要涉及引入额外的蚀刻工艺设备，这是NAND制造中的关键步骤。

蚀刻是一种半导体制造工艺，从已形成电路图案的晶圆上去除特定材料。在NAND中，必须堆叠数百层存储数据的最小单元——单元，因此需要蚀刻出极深的通道孔，以允许电子在结构中移动。这使得蚀刻技术尤为重要。

因此，三星计划从明年下半年开始补充投资，以确保V9 NAND的稳定量产。相关设备的采购订单预计将在今年年底敲定。

一位半导体业内人士表示：“三星电子计划在今年和明年分阶段进行投资，以扩大其在中国的最先进NAND生产能力”，并补充称，此举是“对AI服务器及其他应用对先进NAND产品需求激增的回应”。

与此同时，SK海力士自今年第三季度起开始投资升级大连Fab 2的更先进NAND产品设备。目前讨论中的投资据了解针对每月约3万片晶圆的生产能力。

大连晶圆厂是SK海力士于2020年下半年收购英特尔NAND业务的一部分。SK海力士随后于2022年为大连Fab 2举行了奠基仪式，以扩大NAND生产能力，但随后因市场状况和其他因素推迟了设备投资。

另一位业内人士表示：“SK海力士计划通过明年上半年在大连Fab 2投资NAND设备，目标是每月约3万片晶圆的生产能力”，并补充称，“包括蚀刻工具在内的关键制造设备将从下个月开始正式到位”。