高盛：中国存储专家电话会议要点

产能扩张

> 强劲增长：本地DRAM行业领导者的年度产能预计到2030年将比当前水平翻一番以上。

> 区域中心：合肥、上海和北京的产能扩张预计到2028年全面投产，并辅以一个巨型基地在2028年后贡献产能。

> 设备采用：新增DRAM产能同时使用全球一流和本地半导体生产设备（SPE），部分工厂主要依赖本地SPE（不包括高端工具如光刻机）。

产品开发

> 工艺演进：本地DRAM供应商正积极升级生产工艺，与去年相比产品进展持续推进，尽管在速度等指标上仍落后于全球同行。 HBM目标：HBM3和HBM3E的生产仍是本地市场领导者2026年的目标。

> 高端创新：由于EUV（极紫外光刻）等工具的限制，本地供应商正利用DUV或替代制造创新（如3D DRAM），预计2027年将有新产品进展。

存储定价与市场趋势

> 定价均等与良率：本地供应商的DRAM价格已达到与全球一流供应商相当的水平，尽管良率可能较低。

> 近期与未来需求：由于智能手机品牌制造商对更高成本的抵制，预计2026年第三和第四季度价格涨幅将较上半年趋缓。然而，来自中国和海外市场的强劲AI需求预计将支撑2027年价格持续增长。

> 全球HBM产能：鉴于强劲的AI需求，全球一流供应商预计短期内不会将HBM产能转向传统DRAM，且供应商与客户之间的长期合同预计将有助于稳定价格。